CVD反応分科会主催第3回講習会
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「CVD・ALDプロセスの基礎」
開催趣旨
当分科会では，最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムに加えて，学生や若手社員など初学者向けにCVDプロセスの基礎を体系的に学習できる講習会を開催しています。今回は，CVDに加えて，産業界からの要望の多いALDや，計算科学の進展により強力なツールとなってきた量子化学計算に関する講習も盛り込みました。これからCVDを始める方も，経験を積まれ更なる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会，
CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2018年10月31日（水) 10:00〜18:00
会 場 ： 東京大学 本郷キャンパス 武田先端知ビル 5F 武田ホール
プログラム
9:30〜10:00 受付
10:00〜10:05 開会挨拶 分科会代表 河瀬元明
10:05〜11:35 「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」
CVD 法の概要，CVD プロセスにおける輸送現象と化学反応のモデル化，反応速度論，反応解析，流れと拡散
河瀬 元明 氏（京都大学）
11:35〜12:10 「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」
CVD 装置内の熱・流れと反応（観察・計算），種々装置の計算・解析例，基本
的な操作と構造の意味
羽深 等 氏（横浜国立大学）
12:10〜13:30 休憩
13:30〜14:05 「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・
開発」
量産対応 CVD 装置，反応シミュレーション，枚葉式・複数枚バッチ式，流れ解析
川上 雅人 氏（東京エレクトロンテクノロジー
ソリューションズ(株)）
14:05〜15:05 「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と
素反応シミュレーションの実例」
量子化学計算，素反応，遷移状態理論，素反応シミュレーション
松木 亮 氏（産業技術総合研究所）
15:05〜16:05 「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」
化合物半導体エピタキシャル成長のシミュレーション，選択成長とリアクタ
スケール分布のカップリング
杉山 正和 氏（東京大学）
16:05〜16:25 休憩
16:25〜17:25 「ALDの基礎と応用用途」
速度論，反応ケミストリ，吸脱着，温度依存性，表面反応機構
霜垣 幸浩 氏（(東京大学）
17:25〜18:00 「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」
蒸気圧，反応性，揮発性，供給方法，輸送
町田 英明 氏（気相成長(株)）
18:10〜19:40 懇親会（会場：武田ホールホワイエ）
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