| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD研究会 |
| 日程 | 令和2年11月20日(金) 13:00〜18:00 |
| 会場 | web開催（Cisco Webex Events） |
| 参加形態 | リアルタイム参加 |
| 参加費 | 無料 |
| 申込方法 | 「Web参加登録ページ」よりお申し込み下さい． |
| 申込締切 | 6月7日(月)正午 厳守（web開催の為，締め切り後の申し込みは一切できません．また，定員に達し次第，申し込みを終了いたします．） |
| 問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail：cvd@scej.org |
| 注意 |
- 参加費はクレジットカードにてお支払いください．
- 参加者による録画・録音は参加形態によらず一切禁止とします．
- 講演内容のオンデマンド配信は行いません．
- 会議URLならびに講演資料は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします．
- 懇親会は行いません．
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| 開催趣旨 | 新型コロナウイルスの影響のため，テレワークやリモートワーク化が進み電子デバイスの利用頻度がますます高くなってきています．近年の半導体デバイスはロジック・メモリ分野ともに新規材料の導入や微細化に加え3D化が進み，単なるパターニングの製膜ばかりでなく選択的な製膜プロセスも求められるようになってきました．
本シンポジウムでは選択製膜の重要性と課題を総論として共有し，技術的課題や解決方法を具体例とともに議論します．また，更なる発展のため基礎理論である表面吸着の理解を深め，今後の展望も議論したいと考えています．
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| プログラム |
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| 13:00〜13:05 |
開会挨拶 |
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| 13:05〜14:05 |
1．(基調講演) 「CVD/ALD選択成長プロセス開発のカギを握る製膜初期過程の理解と制御」 |
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（東京大学）霜垣 幸浩 氏 |
| 14:05〜14:45 |
2．「いまさら聞けない選択タングステン」 |
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（東京工業大学） 大場 隆之 氏 |
| 14:45〜15:05 |
Break |
| 15:05〜15:45 |
3．「化合物半導体のMOVPEプロセスと選択成長」 |
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（東京大学） 杉山 正和 氏 |
| 15:45〜16:15 |
4．「選択製膜への挑戦と課題」 |
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（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)） 東雲 秀司 氏 |
| 16:15〜16:35 |
Break |
| 16:35〜17:15 |
5．「ナノカーボンのCVD選択成長とデバイス応用」 |
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（東京農工大学） 前橋 兼三 氏 |
| 17:15〜17:55 |
6．「表面素反応からみた薄膜成長プロセス」 |
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（東京大学）吉信 淳 氏 |
| 17:55〜18:00 |
閉会挨拶 |
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| シンポジウムオーガナイザー | 筑根 敦弘（大陽日酸株式会社）
三宅 雅人（奈良先端科学技術大学院大学）
川上 雅人（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社）
森 伸介 （東京工業大学） |
