| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD研究会，TIAかけはし，物質・材料研究機構(NIMS) |
| 日程 | 令和3年8月4日(水) 13:00〜18:00 |
| 会場 | オンライン（Zoom） |
| 参加形態 | リアルタイム参加 |
| 参加費(税込) | 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料)，
化学工学会 CVD反応分科会個人会員(2,000 円)，
化学工学会 反応工学部会会員(3,000 円)，化学工学会会員(4,000 円)，
CVD研究会会員(4,000円)，Cat-CVD研究会会員(4,000 円)，
非会員(10,000 円)，学生(無料) |
| 申込方法 | Webサイト 第34回シンポジウム - CVD反応分科会 | Doorkeeperよりお申し込み下さい．
アクセスできない場合には，(1)氏名，(2)所属，(3)連絡先E-mail，(4)参加資格(所属学会等)を明記の上，cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい． |
| 申込締切 | 8月2日(月)正午 厳守（web開催の為，締め切り後の申し込みは一切できません．また，定員300名に達し次第，申し込みを終了いたします．） |
| 問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail：cvd@scej.org |
| 注意 |
- 参加費はクレジットカードにてお支払いください．
- 参加者による録画・録音は参加形態によらず一切禁止とします．
- 講演内容のオンデマンド配信は行いません．
- 会議URLならびに講演資料は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします．
- 懇親会は行いません．
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| 開催趣旨 | 原子層堆積(ALD)法，原子層エッチング(ALE)法などのアトミックレイヤープロセス(ALP)は材料表面を原子層レベルで精密に制御できる技術として，半導体分野を中心に発展してきました。近年，任意箇所に材料を堆積する，あるいは任意箇所の材料を除去する，選択ALD・選択ALEも求められるようになってきました。ALPが１原子層ごとに堆積や除去を行えるのは，反応性ガスが基板表面に単層のみ化学的に吸着することを利用しているからであり，その吸脱着特性の下地依存性が選択性発現の鍵となります。本シンポジウムでは選択ALDおよび選択ALEの技術的課題や解決方法を議論したいと思います。多数のご参加をお待ちしております。
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| プログラム |
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| 12:30 |
開場 |
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| 13:00〜13:05 |
開会挨拶 |
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| 13:05〜13:55 |
1．基調講演「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」 |
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（東京大学） 霜垣 幸浩 氏 |
| 13:55〜14:35 |
2．「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」 |
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（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社） 伝宝 一樹 氏 |
| 14:35〜14:45 |
休憩 |
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| 14:45〜15:25 |
3．「ALD-SiO2成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」 |
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（物質・材料研究機構(NIMS)） 生田目 俊秀 氏 |
| 15:25〜16:05 |
4．「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」 |
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（東北大学） 諏訪 智之 氏 |
| 16:05〜16:15 |
休憩 |
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| 16:15〜17:15 |
5．基調講演「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」 |
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（ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社） 深沢 正永 氏 |
| 17:15〜17:55 |
6．「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future
Nanoscale-devices」 |
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（東北大学）寒川 誠二 氏 |
| 17:55〜18:00 |
閉会挨拶 |
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| シンポジウムオーガナイザー | 霜垣 幸浩（東京大学）
川上 雅人（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）
筑根 敦弘（大陽日酸）
百瀬 健 （東京大学） |
