CVD反応分科会主催第16回シンポジウム
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「薄膜成長における核発生機構と課題・話題」
開催趣旨
核発生は薄膜・バルクなどの結晶を育成する際の開始状態を決定する最重要要因であり，その後の結晶成長を左右し，最終的に結晶の品質に影響します。また，結晶成長途中における余分な核発生を防止することも，目的とする結晶の品質を達成するために不可欠です。これらは，単結晶を得ようとする場合は勿論，多結晶，非晶質を目的とする場合にも大切であることは論を待ちません。また，量子ドットなどナノ構造の形成・構造制御にも重要な役割を果たします。そこで本シンポジウムにおいては，核発生機構の基本的な解説と共に，核発生の課題と話題に関する最新のトピックスについて議論する機会を企画しました。核発生機構についての理解を深め，核発生制御手法や，PVD/CVD/SCFDプロセス等における核発生その場観察などの最新の話題を紹介したいと考えております。多数のご参加をお待ち申し上げております。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会
協 賛 ： 日本結晶学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
日 時 ： 2012年8月8日(水) 13:00〜18:20
会 場 ： 東京大学工学部２号館２１２教室
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:10 開会あいさつ
東京大学 杉山正和 氏
13:10〜13:55 「核発生の基礎理論とMBE薄膜成長への応用」
東京大学名誉教授 西永頌 氏
13:55〜14:25 「GaN薄膜成長における核発生のその場観察」
三重大学 三宅秀人 氏
14:25〜14:40 Coffee Break
14:40〜15:10 「量子ドット形成の核発生その場観察」
阿南高専 塚本史郎 氏
15:10〜15:40 「液滴エピタキシー法におけるガリウム液滴形成とその結晶化過程の制御」
物質・材料研究機構 間野高明 氏
15:40〜16:10 「HSG-Siの合成と薄膜形成における核発生の制御」
キヤノンアネルバ 辰巳徹 氏
16:10〜16:40 「大気雰囲気下でシリコン結晶膜を連続成長させるHeat-Beam装置」
フィルテック 古村雄二 氏
16:40〜16:55 Coffee Break
16:55〜17:25 「有機薄膜作製における核発生・制御」
産総研 八瀬清志 氏
17:25〜17:55 「晶析工学的見地からみた有機薄膜創製における核発生と成長現象」
−気相成長と超臨界流体を利用した成長を中心に−
信州大学 内田博久 氏
17:55〜18:20 「ULSI多層配線形成用金属薄膜CVD/SCFDプロセスにおける
初期核発生と成長」
東京大学 霜垣幸浩 氏
18:20〜20:00 懇親会
会場：東京大学工学部２号館展示室，
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