CVD反応分科会主催第19回シンポジウム
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「薄膜成長における構造形成と機能制御」
開催趣旨
薄膜を形成するにあたっては、結晶・非結晶の他に結晶多形、配向、微細構造などの選択・設計が必要であり、その種類と組合せは物質、用途により様々です。そこで、物質としてシリコン、ダイヤモンド、炭化珪素、構造として結晶性薄膜を対象とした様々な手法として、熱、プラズマ、エアロゾル、などを活用したCVD技術、について学術・産業において先端分野で活躍されている講師をお招きして、薄膜において原子･分子が縦横に規則的に配列・配向された構造の形成と機能制御などについて議論を深めたいと考えます。多数のご参加をお待ち申し上げております。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会
日 時 ： 2013年5月29日(水) 13:00〜18:00
（終了後，懇親会を開催します。）
会 場 ： 東京大学武田ホール
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会あいさつ
13:05〜14:00 基調講演「エピタキシャル成長における構造・機能制御」
西永 頌 氏（東京大学名誉教授）
14:00〜14:40 「グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開」
吾郷 浩樹 氏（九州大先導物質化学研究所）
14:40〜15:00 休憩
15:00〜15:40 「メゾプラズマCVDによるナノクラスター支援高速エピタキシャル成長」
神原 淳 氏（東京大学）
15:40〜16:20 「AD（エアロゾルデポジッション）法による常温衝撃固化現象と実用化への取り組み」
明渡 純 氏（産業技術総合研究所）
16:20〜16:40 休憩
16:40〜17:20 「ダイヤモンド薄膜形成技術（仮題）」
井上 英男 氏（コーンズテクノロジー）
17:20〜18:00 「パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発」
百瀬 賢治 氏（昭和電工）
18:00〜19:30 懇親会
会費一般：2,000円，学生：1,000円
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