CVD反応分科会主催第21回シンポジウム
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「ALDプロセスの基礎と応用」
開催趣旨
ALD（Atomic Layer Deposition）は，原料ガスと反応ガスの交互供給により，原子層形成を繰り返す手法であり，優れた膜厚均一性と膜厚制御性，ならびに，低温合成可能であることなどから，CMOSデバイスの高誘電率ゲート絶縁膜形成，メモリキャパシタ絶縁層・電極形成などに実用が進んでいます。また，原料ガス供給ノズルと反応ガス供給ノズルを交互に配置し，基板を移動させるロール・ツー・ロールなどの手法により大面積コーティングへの応用なども検討されています。原料ガスの化学反応により薄膜を形成するという点では，CVD法に共通する点も数多くありますが，一方，ガス供給シーケンスの最適化など検討すべき事項が多いのもALDに固有の課題かと思われます。さらには，吸着や反応などの過程を分離しているため，表面反応機構を検討するうえで有用な情報を提供する側面もあり，基礎的な検討から応用に至るまで，興味深い薄膜形成手法であると言えます。来年6月には米国真空学会（American Vacuum Society，AVS）主催のALD国際学会が京都で開催されることを受け，国内でALDプロセスの研究に携わっておられる方を一同に会し，最新の研究成果報告と議論をする場として本シンポジウムを企画しました。関連の皆様のご参加をお待ち申し上げます。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会
日 時 ： 2013年11月19日(火) 13:00〜17:50
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 東京大学山上会館２階大会議室
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:40 「ALDプロセスの理想と現実―ULSI多層配線用金属膜合成を例に」
霜垣 幸浩 氏（東京大学）
13:40〜14:20 「固体表面への分子吸着・反応過程に関する第一原理シミュレーション」
森川 良忠 氏（大阪大学）
14:20〜14:35 休憩
14:35〜15:00 「ALDプロセス用材料開発」
ガティノ 諭子 氏（エア・リキード・ラボラトリーズ）
15:00〜15:30 「ALD法によるHigher-k絶縁膜の低温作製とCMOSへの展開」
生田目 俊秀 氏（NIMS）
15:30〜16:00 「ALDによるZnO/Al2O3の合成とTFT応用」
石河 泰明 氏（奈良先端科技大）
16:00〜16:20 休憩
16:20〜16:50 「Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション」
渡邉 孝信 氏（早稲田大学）
16:50〜17:20 「成膜装置でのALD Process Tuning手法に関して」
早瀬 文朗 氏（東京エレクトロン）
17:20〜17:50 「Plasma-enhanced ALDによる低温SiO2膜の成長メカニズム」
小林 明子 氏（日本ＡＳＭ）
18:00〜19:30 懇親会（山上会館地階食堂「御殿」）
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