CVD反応分科会主催第23回シンポジウム
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「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解（ノーベル賞受賞記念）」
開催趣旨
近年、窒化物半導体に関する発展はめまぐるしく、基礎から応用に至るまで精力的に展開されている。
2014年ノーベル物理学賞においても、名城大の赤崎勇終身教授、名古屋大の天野浩教授、米カリフォルニア大サンタバーバラ校の中村修二教授が受賞されたのは、周知の事実です。
そこで本シンポジウムでは、その場観察による単結晶エピ成長から最新の成長装置まで、この分野において最先端でご活躍されている講師をお招きして、議論を深めたいと考えます。
多数のご参加をお待ち申し上げております。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2015年5月22日（金) 13:00〜17:50
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 早稲田大学 西早稲田キャンパス 62W号館 大会議室
（最寄駅：地下鉄 副都心線 西早稲田駅）
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会あいさつ
13:05〜14:00 基調講演「窒化物半導体MOVPEのメカニズム：リアクタスケールから基板表面までのマルチスケールな輸送・反応」
杉山 正和 氏（東京大学）
窒化物半導体MOVPEはGaAs系よりも高温で行われ，流れが自然対流の影響を受けやすく，気相粉体生成が進みやすいなどの特長がある。また，反応器内の結晶成長速度や表面モフォロジーの分布も，これらの影響を受ける。さらに３次元成長時の結晶面の出現なども含めて統一的に理解し，MOVPE反応器中の現象を直観的に把握するための考え方を追求したい。
14:00〜14:40 「InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構」
本田 善央 氏（名古屋大学）
本講演では，InGaN結晶成長において，レーザ光の吸収と散乱を用いたその場観察により，InGaN表面でのInの固相への取込，In偏析などの成長機構に関する系統的な測定技術について説明する。
14:40〜14:55 休憩
14:55〜15:35 「窒化物半導体の窒素極性面成長におけるin situ表面反射率測定」
谷川 智之 氏（東北大学）
本講演では，窒化物半導体デバイスに従来から用いられているIII族極性面とは反対方向にあたる窒素極性面の結晶成長について，in situ表面反射率から理解される成長機構について説明する。
15:35〜16:15 「パルス励起堆積法による窒化物薄膜成長の特徴」
藤岡 洋 氏（東京大学）
パルス励起堆積法は窒化物半導体エピタキシャル層を低温で安価に製膜できる手法として最近注目を集めている。本講演ではパルス励起堆積法の成長メカニズムと成長した膜の特徴、さらには素子応用について説明する。
16:15〜16:30 休憩
16:30〜17:10 「メッシュ状加熱金属触媒体を用いたCat-CVD法によるSi基板上へのGaN薄膜成長」
安井 寛治 氏（長岡技術科学大学）
加熱したメッシュ状タングステンを用いてアンモニアを高効率に分解，ラジカルを生成することで低いV/III原料ガス比でのGaN薄膜の成長を行った。本講演ではこの技術を用いたSi基板上へのGaN結晶薄膜の成長について報告する。
17:10〜17:50 「アンモニアの加熱金属触媒による分解過程と後続気相反応過程」
梅本 宏信 氏（静岡大学）
気相反応の多くは不対電子を持つフリーラジカルを介して進行する。本講演では，アンモニアの加熱金属触媒による分解でどのようなラジカルが発生し，そのラジカルが気相中でどのような反応をするかについて実験と理論計算の結果を踏まえて解説する。
17:50〜19:30 懇親会（62W号館 中会議室）
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