CVD反応分科会主催第24回シンポジウム
-------------------------------------------------------------------------
「パワーデバイス」
開催趣旨
省電力に必須の解決策としてパワーデバイスが用いられています。その材料として，これまではシリコンが用いられ，それに続いて炭化珪素，窒化ガリウムなどの開発が広く進められています。いずれも薄膜が主として用いられており，CVDプロセスが重要な要素技術となっています。今回のシンポジウムでは，パワーデバイス動作原理やデバイス構造などの基礎を再認識し，製造プロセス（主としてCVDエピタキシャル成長)について理解を深めた上で，それぞれの材料ごとの課題をCVDプロセスの立場から深く議論します。それにより，パワーデバイスの将来を展望したいと考えます。多数のご参加をお待ち申し上げております。
多数のご参加をお待ち申し上げております。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2015年12月1日（火) 13:00〜17:50
会 場 ： 早稲田大学 西早稲田キャンパス 55号館S棟2階第三会議室
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会あいさつ
13:05〜14:00 基調講演「パワーデバイスの構造と材料・製膜技術の展開」
岩室 憲幸 氏（筑波大学）
パワーデバイスは，電気自動車の実用化などにより，その重要性を増している。本講演では，パワーデバイスの構造と動
作原理などの基礎を概説し，その材料・製膜技術の今後の展開について述べる。
14:00〜14:40 「高電圧SiC素子に向けた大口径，高品質4H-SiCエピタキシャル成長技術の開発」
土田 秀一 氏（電力中央研究所）
本講演では，高速製膜を可能とする SiC エピ成長装置の基本コンセプト，構造の特徴，製膜の機構と効果について説明す
る。特に，基板の回転を高速にすることにより実現される結晶成長の特徴から，分かり易く説明する。
14:40〜14:55 休憩
14:55〜15:35 「SiCエピタキシャル成長における低欠陥密度化・高速化技術の開発」
田中 貴規 氏（三菱電機株式会社）
本講演では SiC エピ成長膜の高品質化，及び成長速度の高速化技術について述べる。エピ成長による転位の変換技術，及
び Cl 含有ガスの添加と減圧化による高速成長技術を中心に，そのメカニズムを含め議論する。
15:35〜16:15 「酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長」
秩父 重英 氏（東北大学）
超臨界アンモニア中で窒化物結晶を晶析させるアモノサーマル法は，水晶や酸化亜鉛の大型バルク単結晶の製品化に成功
した水熱合成法のアンモニア版といえる。我々は，将来的に 6 インチ径の無歪・極低転位密度 GaN ウエハを安価に大量生
産することが可能な成長条件での結晶育成に成功したので，これまでの経緯と共に報告する。
16:15〜16:30 休憩
16:30〜17:10 「MOCVDにおけるパワーデバイス用GaN-on-Si成長技術」
渡邉 則之 氏（日本電信電話株式会社）
本講演では，GaN 系パワーデバイスへ広く応用されている Si 基板上 GaN 系エピタキシャル結晶の成長技術について説明
する。GaN の特性，GaN-on-Si を実現するための技術的課題とその解決手法を述べ，さらに，最近の展開について説明す
る。
17:10〜17:50 「パワーデバイスにおけるシリコン結晶・薄膜の進展と展望」
山本 秀和 氏（千葉工業大学）
本講演では，パワーデバイス用シリコン結晶に関して，デバイス構造を実現してきた歴史と進展について説明する。特に，
エピタキシャルウェーハに関して，最新の話題と将来展望について説明する。
17:50〜19:30 懇親会（早稲田生協カフェテリア）
参加費（課税・税込）一般：2,000円，学生：1,000円
シンポジウムオーガナイザー
筑根 敦弘（大陽日酸株式会社）
三宅 雅人（奈良先端科学技術大学院大学）
羽深 等 （横浜国立大学）
-------------------------------------------------------------------------
|
|
