CVD反応分科会主催第25回シンポジウム
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「原子層堆積／原子層エッチングの基礎と応用」
開催趣旨
エレクトロニクスを中心に原子層堆積（ALD）法，原子層エッチング（ALEt）法の研究開発が広く進められています。これは反応性ガスが表面に単層吸着して自己停止し，それに次の反応を起こさせる操作を加えることによって原子１層ごとに堆積や除去を行う方法です。極めて平坦な層を精密制御して取り扱えることから，膜厚，膜質，段差被覆性，選択性などに関して極めて有利であると考えられています。そこで今回は，ALDとALEtについて研究を進めている研究者に最先端の内容と共に，原子層成長・エッチング技術の基礎に立ちかえり，応用までを見据えた内容をご紹介頂くことと致しました。本シンポジウムが，ALDとALEtに対する理解を深める機会になれば幸いです。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2017年2月1日（水) 13:00〜17:45
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階41講義室（417号室）
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会あいさつ
13:05〜14:05 「ALD/ALEtの基本原理と課題・展望」
霜垣 幸浩 氏（東京大学）
14:05〜14:35 「ALD反応炉内での原子制御型ドット堆積を目指したスプレー法の開発」
佐藤 宗英 氏（物質・材料研究機構）
14:35〜14:50 休憩
14:50〜15:30 「SiO2微細加工に対するQuasi-ALEアプローチの有用性」
田端 雅弘 氏（東京エレクトロン宮城）
15:30〜16:10 「プラズマと赤外光照射を用いた窒化膜の原子層レベルエッチング」
篠田 和典 氏（日立製作所）
16:10〜16:25 休憩
16:25〜17:05 「既存ALD材料の組合せによる高性能ガスバリア膜」
座間 秀昭 氏（アルバック）
17:05〜17:45 「室温原子層堆積法の開発とその応用」
廣瀬 文彦 氏（山形大学）
18:00〜19:30 懇親会（会場：東京大学工学部4号館3階44講義室（401B号室））
参加費：一般：2,000円，学生：1,000円
シンポジウムオーガナイザー
羽深 等 （横浜国立大学）
三浦 豊（株式会社アルバック）
川上 雅人（東京エレクトロン株式会社）
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