CVD反応分科会主催第26回シンポジウム
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「製膜プロセスシミュレーションの最前線：マルチフィジクスと非定常計算の活用」
開催趣旨
CVD 法による材料合成をはじめ，多くの研究分野において数値シミュレーションの活用はプロセス
開発に必要不可欠となってきました。中でも，多様な物理を連成したマルチフィジクスを活用したCVD
プロセスシミュレーションは，膜厚分布だけでなく膜物性の予測も可能にし，非定常計算は定常計算に
代わってより現実に近い系の計算を可能にします。
本シンポジウムでは，製膜関連分野におけるマルチフィジクス・非定常計算に関し，第一線の研究者・
技術者から最新の研究動向をご説明いただくと共に，急速なコンピュータ性能の飛躍的向上とそれによ
る人工知能やビッグデータの利用により期待される今後のプロセスシミュレーションへの展望をご紹
介いただきます。皆様のシミュレーションに対する理解を深めていただく機会にして頂ければ幸いです。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2017年11月27日（月) 13:00〜18:00
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階42講義室（419号室）
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会の挨拶
13:05〜14:05 「（基調講演）輸送・反応系を含むマルチフィジックス・シミュレー
ションの応用と展望」
高山 務 氏（みずほ情報総研(株)）
14:05〜14:45 「MOCVD法によるIII族窒化物ヘテロ構造成長中の応力、反り、貫通
転位ダイナミクスの数値解析」
向山 裕次 氏（STR Japan(株)）
14:45〜15:00 休憩
15:00〜15:40 「反応工学と第一原理計算を用いたW-ASFD(Advanced Sequential
Flow Deposition)の反応解析」
川上 雅人 氏（東京エレクトロン
テクノロジーソリューションズ(株)）
15:40〜16:20 「繊維プリフォーム高密度化過程の非定常性を考慮した複合材料
CVIシミュレーション」
則永 行庸 氏（名古屋大学）
16:20〜16:35 休憩
16:35〜17:15 「ドライプロセスからウェットプロセスまでの薄膜作製と高度解析」
トン リチュ 氏（計測エンジニアリングシステム(株)）
17:15〜17:55 「有限要素計算による微細構造製膜のマルチスケール解析」
舩門 佑一 氏（東京大学）
17:55〜18:00 閉会の挨拶
18:00〜19:30 懇親会（会場：東京大学工学部4号館3階44講義室（401B号室））
参加費：一般：2,000円，学生：1,000円
シンポジウムオーガナイザー
百瀬 健（東京大学）
西田 哲（岐阜大学）
三浦 豊（株式会社アルバック）
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