CVD反応分科会主催第27回シンポジウム
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「クリーンなCVD/ALDを実現する技術の考え方と最新動向」
開催趣旨
化学気相堆積（CVD）法および原子層堆積（ALD）法で製造する薄膜には，高純度・低欠陥であることが求められます．それを実現するためには，製膜装置内の環境と基板表面が清浄であることが大切です．製膜装置内の様々な部品，例えば，サセプタや反応容器壁などに付着・堆積した膜や粉体を，取り除くことが求められます．基板の表面には様々な微細構造が形成され，そこに残留物質があると膜質に影響が表れます．用いる装置，形成する膜と基板の特性に合致した対策があれば，理想的な製膜が可能です．
本シンポジウムでは，製膜の現実的重要課題として製膜装置の清浄化とクリーニング，基板表面の取り扱いを課題とし，総論（横糸）として清浄化の視点から装置，ガスと表面を論じた後に，各論（縦糸）として個別の課題と対策を検討します．
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2018年2月15日（木) 13:00〜18:10
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階42講義室（419号室）
プログラム
12:30 参加受付開始
13:00〜13:05 開会の挨拶
13:05〜13:55 （基調講演）「清浄化を軸にして眺める製造装置の現状と展望」
立花 光博 氏（東京エレクトロン
テクノロジーソリューションズ(株)）
13:55〜14:45 （基調講演）「半導体製造装置用クリーニングガスの現状と展望」
八尾 章史 氏（セントラル硝子(株)）
14:45〜15:00 休憩
15:00〜15:50 （基調講演）「ULSI製造における製膜に及ぼす基板表面の影響」
佐藤 伸良 氏（東芝メモリ(株)）
15:50〜16:30 「GaN-MOCVD装置のクリーニング技術」
山口 晃 氏（大陽日酸(株)）
16:30〜16:45 休憩
16:45〜17:25 「炭化珪素CVD装置クリーニング法―実現の課題と展望」
羽深 等 氏（横浜国立大学）
17:25〜18:05 「微細化に伴う半導体ウェット洗浄の課題と展望」
佐藤 雅伸 氏（(株)SCREEN
セミコンダクターソリューションズ）
18:05〜18:10 閉会の挨拶
18:10〜19:40 懇親会（会場：東京大学工学部4号館3階43講義室（401A号室））
島田 学 （広島大学）
羽深 等 （横浜国立大学）
齊藤 丈靖（大阪府立大学）
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