CVD反応分科会主催第28回シンポジウム
-------------------------------------------------------------------------
「アトミックレイヤープロセッシングの基礎と最新技術動向」
開催趣旨
半導体分野を中心に原子層エッチング（ALE）法，原子層堆積（ALD）法などのアトミックレイヤープロセスの研究開発が広く進められています．これらの手法は反応性ガスが基板表面に単層のみ化学的に吸着することを利用し，１原子層ごとに除去や製膜を行う方法です．極めて平坦な層を精密制御できることから，膜厚の制御性・再現性・均一性，膜質などに高い期待が見込めます．そこで今回は，ALE・ALDに関する第一線の研究者をお招きし，ALE・ALDの基礎から製造技術としての開発状況までをご紹介頂くことと致しました．さらに，シミュレーションや原料選択に関する講演を通じて今後の展望も議論できればと考えています．本シンポジウムが，ALE・ALD に対する理解を深める機会になれば幸いです．
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会，
原子層プロセス(ALP)ワークショップ，CVD研究会，Cat-CVD研究会
日 時 ： 2018年6月4日（月) 10:00〜17:50
（終了後，懇親会（有料）を開催します。）
会 場 ： 東京大学 弥生キャンパス 弥生講堂 一条ホール
プログラム
9:30 受付開始
10:00〜10:05 開会挨拶
10:05〜11:05 （基調講演）「アトミックレイヤーエッチングの基礎」
堀 勝 氏，石川 健治 氏（名古屋大学）
11:05〜11:40 「アトミックレイヤーエッチングにおける表面反応解析」
唐橋 一浩 氏（大阪大学）
11:40〜12:15 「プラズマを用いた原子層エッチング技術」
栗原 優 氏（(株)日立製作所）
12:15〜13:30 昼休憩
13:30〜14:30 （基調講演）「ALD・CVDプロセスの反応工学」
霜垣 幸浩 氏（東京大学）
14:30〜15:05 「ALD-Al2O3成長におけるAl2O3/基板界面の解析」
生田目 俊秀 氏（物質・材料研究機構）
15:05〜15:40 「3D Flash MemoryにおけるALD技術の応用」
相宗 史記 氏（東芝メモリ(株)）
15:40〜16:00 休憩
16:00〜16:35 「表面反応の原子・分子レベルモデリングの現状」
谷村 直樹 氏（みずほ情報総研(株)）
16:35〜17:10 「Maximizing ALD SiO/SiN throughput using a chemistry
approach」
クリスチャン デュサラ 氏（(株)エア・リキード
・ラボラトリーズ）
17:10〜17:45 「ミニマルファブとアトミックレイヤープロセス」
クンプアン ソマワン 氏（産業技術総合研究所）
17:45〜17:50 閉会の挨拶
18:00〜19:30 懇親会（会場：弥生講堂 会議室）
参加費：一般：2,000円，学生：1,000円
シンポジウムオーガナイザー
霜垣 幸浩（東京大学）
百瀬 健（東京大学）
-------------------------------------------------------------------------
|
|
