CVD反応分科会主催第31回シンポジウム
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「二次元材料の最新動向」
開催趣旨 ：
二次元材料と呼ばれる層状物質は、三次元のバルク材料とは全く異なる性質を有しており、様々なデバイスへの応用が期待されています。二次元材料としてはグラフェンが最も有名ですが、カルコゲナイドなどの半導体材料や、デバイス化に欠かせない絶縁体・誘電体の六方晶窒化ホウ素の原子層なども注目されており多くの研究が行われています。今回のシンポジウムでは、それら二次元材料について、最新の材料開発、新規製膜技術、デバイス応用等についてそれぞれの分野で最先端を行く専門家の皆様に講演を行って頂き二次原材料についての理解を深める場としたいと思います。多数のご参加をお待ち申し上げております。
主 催 ： 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 ： CVD研究会，Cat-CVD研究会，
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
日 時 ： 2020年2月5日（水) 13:00〜18:00
（終了後，懇親会を開催します。）
会 場 ： 東京大学工学部4号館 41講義室
プログラム
12:30 受付開始
13:00〜13:05 開会挨拶
13:05〜14:05 （基調講演）「１次元・２次元材料のCVD合成と応用」
丸山 茂夫 氏（東京大学）
14:05〜14:45 「カルコゲナイド系層状物質材料の基礎と薄膜形成法」
上野 啓司 氏（埼玉大学）
14:45〜15:00 休憩
15:00〜15:40 「革新的デバイス応用に向けたグラフェンナノリボンの
ボトムアップ合成」
大伴 真名歩 氏（(株) 富士通研究所）
15:40〜16:20 「フラックス法による窒化ホウ素単結晶合成と不純物制御
による機能発現」
谷口 尚 氏（物質・材料研究機構）
16:20〜16:35 休憩
16:35〜17:15 「二次元結晶ファンデルワールス接合の作製技術構築と
量子輸送現象」
町田 友樹 氏（東京大学）
17:15〜17:55 「2次元材料成膜とスパッタMoS2チャネルnMOSFET」
若林 整 氏（東京工業大学）
17:55〜18:00 閉会挨拶
18:00〜19:30 懇親会（懇親会会場 東京大学工学部4号館44講義室）
シンポジウムオーガナイザー
西田 哲（岐阜大学）
三浦 豊（(株)アルバック）
玉置 直樹（キオクシア(株)）
町田 英明（気相成長(株)）
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