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CVD反応分科会主催第1回講演会
「低級炭化水素からのカーボンCVD − 成膜前駆体と膜構造」

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講 師 : 京都大学 河瀬元明 氏

講演概要
 炭化水素からの熱分解炭素CVDでは,迅速な気相熱分解により種々の炭化水素が生じ, そのほとんどから成膜が起こる.熱分解炭素は通常sp3構造に近いアモルファスカーボンであるが,反応ガスによっては層状構造が成長することがある.素反応データベースに基づいた気相反応モデリングとシミュレーションならびに赤外分光分析を用いた反応器内の2次元濃度分布の in situ 測定により,反応器内にアレン(CH2=C=CH2)やアリレン(CH≡C−CH3)が生成し,これらから層状構造が成長することがわかった.成膜前駆体によって成膜速度と製品膜構造が決定される好例として,この熱分解炭素CVDを紹介したい.

主 催 : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
日 時 : 2011年4月28日(木) 13:30〜15:00
会 場 : 東京大学工学部4号館205セミナー室
参加費 : 無料
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CVD反応分科会主催第2回講演会
「III-V半導体ナノエピタキシャル構造を用いた高効率太陽電池とその成長技術」

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講 師 : 東京大学 杉山正和 氏

講演概要
 太陽電池のエネルギー変換効率を飛躍的に高めるためには,バンドエンジニアリングが可能なIII-V族化合物半導体のエピタキシャル結晶の利用が不可欠である.バンドギャップが異なる材料のpn接合を光の入射方向に積層した多接合太陽電池は,現在最も効率の高い太陽電池であるが,さらなる効率向上のために中間セルに量子井戸を挿入して,電流整合を改善する試みが行われている.一方,中間バンドやホットキャリア等の新原理に基づく高効率太陽電池が提唱されているが,その実現には,バンド間に高密度の中間準位を導入する,キャリア緩和を遅くするために量子構造を利用するなどの対策が必須となっている.これらの量子ナノ構造による太陽電池高効率化を達成するためには,in situ観察を活用したナノエピタキシャル構造の歪み補償技術,ヘテロ界面の制御技術が不可欠である.

主 催 : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
日 時 : 2012年4月18日(水) 15:00〜17:00
会 場 : 東京大学工学部4号館205セミナー室
参加費 : 無料
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CVD反応分科会主催第3回講演会
「カーボンナノチューブのCVD合成の理解とカスタム化:1秒合成から連続合成まで」

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講 師 : 早稲田大学 応用化学科 教授 野田優 氏

講演概要
カーボンナノチューブは特異な1次元構造と各種物性を持ち種々の応用が期待されるが、本格的実用化には合成の確立が不可欠である。ナノチューブのCVD合成のメカニズムを反応工学的に説明するとともに、基板上低温稠密合成、ガラス上1秒合成、流動層連続合成、火炎合成など、出口に応じて開発しているカスタムプロセスを紹介する.

主 催 : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
日 時 : 2012年11月7日(水) 16:00〜17:30
会 場 : 東京大学工学部4号館205セミナー室
参加費 : 無料
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CVD反応分科会主催第4回講演会
「デバイス微細化と製造装置の進化」

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講 師 : 東京エレクトロン山梨株式会社 多田國弘 氏

講演概要
半導体デバイスの微細化に伴い、成膜プロセスも薄膜化、低温化など求められる条件が変化してきた。高度化する要求に対応するために、成膜手法もCVD、シーケンシャルCVD、ALDと変化してきている。デバイスの微細化に対応して、半導体製造装置がどのように変化していったか、実際の事例を紹介し、将来展望も考察する.

主 催 : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催 : CVD研究会,Cat-CVD研究会
日 時 : 2015年6月23日(火) 14:00〜15:10
会 場 : 西早稲田キャンパス 62W号館 中会議室
参加費 : 化学工学会CVD反応分科会会員・化学工学会反応工学部会会員・化学工学会会員(無料),CVD研究会会員・Cat-CVD研究会会員(無料),一般(1,000 円:課税・税込),学生(無料)
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CVD反応分科会主催第5回講演会
「Si基板上厚膜GaN成長における歪み制御およびデバイス応用」

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講師:ALLOS Semiconductors GmbH,西川 敦 博士

講演趣旨
 GaNはLED・パワーデバイスの結晶層として幅広く研究されていますが,とくに 安価で大面積なSi基板上の成長は今後のキーテクノロジーとして大きな注目を集 めています。今回,世界にさきがけてデバイス品質のGaN on Si成長を成功させて きたドイツのAZZURRO Semiconductorsにて研究開発の中心を担っていた西川 敦 氏 に講演いただく機会を得ました。格子不整合のみならず熱膨張係数の差による結晶 層のクラック防止など,薄膜形成技術として大変興味深い技術を多く語っていただ きます。

講演アブストラクト
GaNは青色及び白色発光デバイスのみならず,パワーデバイスとしても応用が期待 されている。とくに安価で大面積基板が利用できるSi基板上GaN(GaN-on-Si)は 結晶成長及び歪み制御に多くの困難が存在したが,10数年に渡る研究開発を経て 実用化が目前となっている。本講演では,困難を乗り越える鍵となる結晶成長手 法,歪み制御及びデバイス構造について議論する。

主 催  : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催  : CVD研究会
日 時  : 2016年3月17日(木) 14:00〜16:00
会 場  : 東京大学本郷キャンパス 工学部4号館42講義室(419号室)
参加費  : 無料
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CVD反応分科会主催第6回講演会
「ドライプロセス,気相環境における微粒子の生成,処理,影響」

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講師:広島大学 大学院工学研究科 化学工学専攻 教授 島田 学 氏

講演概要
 ガス相における微粒子の生成,輸送,処理に対する理解は,薄膜合成やエッチングなどのドライプロセスでのコンタミネーション・製造阻害の抑制と,材料ナノ粒子の気相精密合成の両方に関連して重要です.本講演では,微粒子の発生,表面処理,輸送,沈着・堆積や粒子汚染の影響の評価について,材料製造のシチュエーションを中心に大気環境,生体の場も含めて紹介します.

主 催  : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催  : CVD研究会
日 時  : 2018年6月29日(金) 16:30〜18:00
会 場  : 東京大学本郷キャンパス 工学部4号館42講義室(419号室)
参加費  : 無料
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CVD反応分科会主催第7回講演会
「CVD装置の表面反応を知って操るには」

講師 横浜国立大学大学院 理工学府 化学・生命系理工学専攻 教授 羽深 等 氏
主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共催 CVD研究会
日程 2019年6月4日(金) 15:30〜17:30
会場 東京大学本郷キャンパス 工学部4号館43講義室(401A号室)
開催趣旨

当分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムや,CVDプロセスを体系的に学習する講習会に加え,研究者お一方にご自身の研究内容をたっぷりと語っていただく講演会を開催しています.奮ってご参加いただければ幸いです.

講演概要

数値解析と計測を活用してCVD装置の中の移動と化学反応を知れば,表面反応速度を様々に変えて行くことが可能になります.本講演では、(1)クロロシラン系シリコン製膜を例にしてラングミュア型反応速度の上限を超えて速める方法,(2)圧電性結晶振動子による気相雰囲気と堆積量の実時間計測の結果からCVD装置内の様子を知る方法,(3)炭化珪素製膜装置クリーニングを高温・高速化するための耐腐食性保護膜材料の工夫,について紹介します.

参加費 無料(当分科会の会員でなくても参加可能,参加費無料)
参加者
担当幹事 河瀬 元明(京都大学)
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CVD反応分科会主催第8回講演会
「次世代半導体デバイス向け配線材料の湿式・乾式製膜
〜ニッケルおよび MAX 化合物〜」

講師 大阪府立大学 教授 齊藤 丈 氏
主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共催 CVD研究会,京都大学化学プロセス研究コンソーシアム ナノ材料プロセス研究グループ
日程 2022年1月18日(火) 15:00〜17:00
会場 キャンパスプラザ京都第2・3・4演習室ならびにZoom配信
開催趣旨

当分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムや,CVDプロセスを体系的に学習する講習会に加え,研究者お一方にご自身の研究内容をたっぷりと語っていただく講演会を開催しています.奮ってご参加いただければ幸いです.

講演概要

現在、半導体デバイス用の配線材料は銅が主流である。しかし、配線幅が 10 nm 以下になると、銅の抵抗値が急激に増加するために、低抵抗かつ信頼性も充分な次世代半導体デバイス用の低抵抗な配線材料が求められている。金属系の材料として、Co、Ruなどが注目されているが、セラミックスと金属の性質を持つ MAX 化合物(Mn+1AXn;M:遷移金属,A:ヘリウムを除く第13〜18族元素,X:窒素または炭素)とが注目されている。本発表では、表面修飾を施した絶縁膜基板上でのニッケルめっき成長と反応性スパッタリングによる Ti 系 MAX 化合物の製膜と物性評価を報告する。

参加費 無料(当分科会の会員でなくても参加可能,参加費無料)
参加者 75名
担当幹事 河瀬 元明(京都大学)
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CVD反応分科会 第9回講演会
「ドライプロセスへの超臨界CO2流体の応用」

講師 山梨大学 大学院総合研究部 教授 近藤英一 氏
主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会,化学工学会 超臨界流体部会,CVD研究会
日程 2022年6月20日(月) 15:00〜17:00
会場 オンライン(Zoom)
開催趣旨

当分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムや,CVDプロセスを体系的に学習する講習会に加え,研究者お一方にご自身の研究内容をたっぷりと語っていただく講演会を開催しています.奮ってご参加いただければ幸いです.

講演概要

超臨界CO2流体の利用は溶媒代替応用が一般的である。気相と液相の中間的性質を持たせられること、不活性で非電離・中性の媒体であることを思うに、ドライプロセスへの応用も有用であるだろう。薄膜形成(CVD代替)では超臨界CO2媒体のもつ溶媒能や高拡散流束のため良好な段差被覆性や埋め込み性が確保できる。ドライエッチングは反応生成物を揮発させるが、超臨界CO2流体を用いれば低揮発性の物質も除去しうる。本講演では、マイクロエレクトロニクス材料特に配線材料を主な例としてドライプロセスへの超臨界CO2流体の応用を議論する。

申込方法 Googleフォームからお申し込みください。
申込締切 2022年6月13日(月) (ただし,定員になり次第締め切ります)
参加費 無料(当分科会の会員でなくても参加可能,参加費無料)
参加者 138名
担当幹事 百瀬 健(東京大学)
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化学工学会CVD反応分科会 第10回講演会
「ALD原料の基礎」

講師 気相成長株式会社 代表取締役 社長 町田 英明 氏
主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共催 CVD研究会
日程 2023年6月1日(木) 15:30〜17:20
会場 東京大学 工学部4号館205セミナー室 ならびに リアルタイムオンライン配信(Zoom)
開催趣旨

当分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムや,CVDプロセスを体系的に学習する講習会に加え,研究者お一方にご自身の研究内容をたっぷりと語っていただく講演会を開催しています.奮ってご参加いただければ幸いです.

申込方法 Googleフォームからお申し込みください。
申込締切 2023年5月29日(月) (ただし,定員になり次第締め切ります)
定 員 対面 40名,オンライン 100名
参加費 無料(当分科会の会員でなくても参加可能,参加費無料)
参加者 60名(現地12名、リモート48名)
担当幹事 河瀬 元明(京都大学)
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