2015年9月9〜11日に開催された（公）化学工学会第47回秋季大会シンポジウム「CVD・ドライプロセス ―構造・機能制御の反応工学―」（当分科会主催）にて発表された27件の講演から，優秀な発表をされた下記2名の若手研究者の方に，CVD反応分科会奨励賞を授与することを決定致しました。本奨励賞の規約につきましては，こちらをご参照ください。
化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
平成２７年度 奨励賞
学生奨励賞
嶋 紘平（東京大学）
「超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング」
学生奨励賞
山崎 悠平（早稲田大学）
「急速蒸着とその場溶融結晶化による大粒径結晶Si薄膜作製法の開発」
また，奨励賞に選ばれた2件の発表の次に評価の高かった以下2件の発表も，その功績を称えるために次点としてここに掲載します。
佐藤 登（東京大学）
「塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDでの下流堆積物生成反応モデルの構築」
大川 朝陽（早稲田大学）
「グラフェンの実用的CVD合成:供給変調による合成時間短縮と大粒径・高被覆率化」
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