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CVD反応分科会 研究会開催のお知らせ

  • 化学工学会CVD反応分科会 第43回シンポジウム
    「ALD/ALE 2025特集」

    主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
    共催 CVD研究会, Cat-CVD研究会
    協賛 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会,プラズマエレクトロニクス分科会
    日程 2025年10月31日(金) 12:50〜18:00
    会場 東京大学本郷キャンパス・武田ホール(武田先端知ビル 5階)+Zoomによるオンラインリアルタイム配信
    開催趣旨

    6月下旬に韓国・済州で開催されたALD/ALE 2025には日本からも多くの参加者と発表がありました。これらの発表は国内では発表されていないものもありましたので、改めて日本語で発表いただく特集シンポジウムを企画しました。これからALDを始める方も、さらなる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。

    参加費(税込) 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料)、 化学工学会 CVD反応分科会個人会員(3,000円)、 化学工学会 反応工学部会会員(4,000円)、化学工学会会員(5,000円)、 CVD研究会会員(5,000円)、Cat-CVD研究会会員(5,000円)、 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会会員(5,000円)、 応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会会員(5,000円)、 非会員(12,000円)、学生(無料)
    申込方法 Webサイト https://cvd43symposium.peatix.com/よりお申し込み下さい。(peatix.comドメインからのメールを受信可能としてください。) アクセスできない場合には、(1)氏名、(2)所属、(3)連絡先E-mail、(4)参加資格(所属学会等)、(5)参加形態(対面参加、オンライン参加)、(6)懇親会参加可否(予定可)、を明記のうえ、cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい。
    申込締切 10月28日(火)正午 厳守(締め切り後の申し込みは一切できません。)
    対面参加200名、オンライン参加300名の定員に達し次第、申し込み受付を終了いたします。
    問合せ先 CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org
    注意事項
    • 参加費はクレジットカードにて前払いです。懇親会費は、当日受付にて現金払いです。
    • 参加者による録画・録音は一切禁止とします。
    • 会議URLならびに講演資料入手方法は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします。
    • 諸事情により、内容が変更される場合があります。
    • 講演動画の事後配信は致しません。
    プログラム 発表言語:日本語もしくは英語
    司会 百瀬 健 氏(熊本大学)
    12:50-13:00 開会挨拶 霜垣 幸浩 氏(東京大学)
    13:00-13:20 “Oxide Film ALD Using OH Radicals Generated by Mixing Pure Ozone Gas with Hydrogen-Included Molecular Gas Over 200 °C” ((株)明電舎)
    亀田 直人 氏
    13:20-13:40 “Silicon Nitride ALD Process Using Diiodosilane and Hydrazine for Low Temperature Deposition” (大陽日酸(株))
    村田 逸人 氏
    13:40-14:00 “High Temperature Area Selective ALD SiN by in-Situ Selective Surface Fluorination” (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
    劉 昊南 氏
    14:00-14:20 “Effect of Impurities in Trimethylaluminum on Conformality of Al2O3 Thin Film on Patterned Substrate Grown by ALD” (東ソー(株))
    岩永 宏平 氏
    14:20-14:40 “Sequential Adsorption of Dimethyl Zinc and Trimethylaluminum and Its Application to Zinc Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition” (山形大学)
    廣瀬 文彦 氏
    14:40-15:00 “A Novel Liquid Cocktail Precursor for Atomic Layer Deposition of Hafnium-Zirconium-Oxide Films for Ferroelectric Devices” (北海道大学)
    西田 章浩 氏
    15:00-15:15 休憩
    司会 霜垣 幸浩 氏(東京大学)
    15:15-15:35 “Bimetal Thin Film Deposition Using Novel Organometallic Dinuclear RuCo Complex” (田中貴金属工業(株))
    鈴木 和治 氏
    15:35-15:55 “Molecular Design of ALD Precursors Through Atomic-Level Simulation and Their Reactivity Analysis” (Matlantis(株))
    浅野 裕介 氏
    15:55-16:15 “Comparative Study of Experimental and DFT Calculations of Trimethyl-aluminum Adsorption on SiO2, SiN, and Si for Area-Selective Deposition” (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
    林 元輝 氏
    16:15-16:35 “Insights Into Tuning TiO2 Film Property Distribution in 3D Structures During PEALD Process” (ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
    濱野 誉 氏
    16:35-16:55 “In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching” (名古屋大学)
    堤 隆嘉 氏
    16:55-17:15 “On an Initial Incubation Process of Thermal ALD Pt on ALD Al2O3 Measured by Temperature Stabilized In-line QCM” (東北大学)
    熊野 勝文 氏
    17:15-17:20 閉会挨拶 百瀬 健 氏(熊本大学)
    17:20-18:00 ポスターセッション・展示(オンライン配信なし)
    18:00-19:30 懇親会
    ポスターセッション(決定分,随時更新)
    P1 “Prediction of Adsorption/Desorption Equilibrium Constants and Surface Reaction Rate Constants Using Neural Network Potentials for ALD Process Design” (東京大学)
    佐藤 登 氏
    P2 “Computation of Al2O3 ALD by Trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and Neural Network Potential” (東京大学)
    鄒 逸宸 氏
    P3 “Adsorption State Study of Trimethylaluminum Using Neural Network Potential Computation and High Accuracy in-situ Quartz Crystal Microbalance” (東京大学)
    呉 宇軒 氏
    P4 “Evaluation of Initial Nucleation of Co-ALD by CCTBA Using in-Situ Reflectance Monitoring and Atomistic Simulator Based on Neural Network Potential” (東京大学)
    玉置 直樹 氏
    P5 “Molecular Dynamics Simulations of HF Etching Using Universal Graph Neural Network Potential” (Matlantis(株))
    名児耶 彰洋 氏
    展示(会社名50音順,決定分,随時更新)

    ALD Japan 株式会社

    気相成長 株式会社

    株式会社 ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

    株式会社 高純度化学研究所

    大陽日酸 株式会社

    株式会社 田中貴金属

    ピエゾ パーツ 株式会社

    株式会社 堀場エステック

    Matlantis 株式会社
    シンポジウムオーガナイザー 霜垣 幸浩(東京大学),百瀬 健(熊本大学),筑根 敦弘(東京大学)

【協賛行事】第 36 回プラズマエレクトロニクス講習会 〜プラズマプロセスの基礎と先端応用技術〜

主催 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会
協賛 日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、日本化学会、電子情報通信学会、放電学会、日本真空学会、ドライプロセスシンポジウム、化学工学会 CVD 反応分科会(一部打診中)
日程 2025年11月7日(金) 講習会 8:50〜17:15,懇親会 17:30〜19:00
会場 名城大学 天白キャンパス: N304講義室(名古屋:塩釜口駅近郊)(https://www.meijo-u.ac.jp/about/campus/tempaku.html)
内容

プラズマプロセスは、エレクトロニクス分野では先端デバイスの開発・製造を支える技術であるとともに医療やエネルギー・環境応用を始めとする幅広い分野でも欠くことのできない基盤技術となりつつあります。このような背景を踏まえ、本講習会では産業応用で必要とされるプラズマの基礎と診断技術について、最新の研究結果も交えて、プラズマ分野を代表する先生方からご講義頂くとともに、その応用プロセスとして、半導体メモリ製造のキーテクノロジである高アスペクト比エッチング技術、最先端の話題であるプロセスインフォマティクス、及び、先端3D集積向け接合技術について、各分野にて第一線でご活躍の先生方よりご講義を頂きます。初学者から先端の研究開発者まで幅広い皆様のご参加をお待ち申し上げます。

プログラム
1.『プラズマの基礎:電子衝突断面積と電子輸送特性』室蘭工業大学 川口 悟 先生
2.『プラズマ診断技術の基礎と最新動向』中部大学 小川 大輔 先生
3.『絶縁膜エッチング(高アスペクト比ホールエッチング)の基礎と最前線』キオクシア 大村 光広 先生
4.『半導体製造におけるプロセスインフォマティクス』東京エレクトロン 茂木 弘典 先生
5.『先端3D集積向けプラズマ活性化ウエハ接合の技術概要と課題』横浜国立大学 井上 史大 先生
参加費:(税込・10 %対象、テキスト代を含む)
・応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会 個人会員一般 18,000円、
学生 4,000円
・応用物理学会 個人会員 (※)一般 21,000円、
学生 5,000円
・プラズマエレクトロニクス分科会のみの個人会員一般 22,000円、
学生 5,000円
・協賛学協会個人会員・応用物理学会 法人賛助会員一般 22,000円
学生 6,000円
・その他一般 25,000円、
学生 8,000円
※ 懇親会費は 2,500 円です。(懇親会費は当日会場受付にてお支払ください)
※ 参加申し込み時にPE 分科会(年会費 3,000 円/学生 1,000 円)にご入会いただければ、応物・PE 分科会個人会員扱いと致します。
お申込み: 応用物理学会の講習会申し込み専用web ページ (https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=4210645660589436&EventCode=4129202449) よりお申し込み、及びお支払いをよろしくお願います。
※ Web 申し込み期限 10/20 (月)。 参加費入金(10/22 (水)まで)の確認をもって申し込み完了といたします。原則として参加費の払い戻し、請求書の発行は致しません。領収書はメールにてご送付いたします。
お問合せ: [開催内容関連] 松井 都(幹事・日立製作所)
e-mail: miyako.matsui.shhitachi.com
[申し込み手続き関連] 山田 大将 (長野工業高等専門学校)
e-mail: h_yamadanagano-nct.ac.jp、榊田 創 (名城大学)
e-mail: sakakitameijo-u.ac.jp


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