主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会 |
共催 | CVD研究会, Cat-CVD研究会 |
協賛 | 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会,プラズマエレクトロニクス分科会 |
日程 | 2025年10月31日(金) 12:50〜18:00 |
会場 | 東京大学本郷キャンパス・武田ホール(武田先端知ビル 5階)+Zoomによるオンラインリアルタイム配信 |
開催趣旨 | 6月下旬に韓国・済州で開催されたALD/ALE 2025には日本からも多くの参加者と発表がありました。これらの発表は国内では発表されていないものもありましたので、改めて日本語で発表いただく特集シンポジウムを企画しました。これからALDを始める方も、さらなる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。 |
参加費(税込) |
化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料)、
化学工学会 CVD反応分科会個人会員(3,000円)、
化学工学会 反応工学部会会員(4,000円)、化学工学会会員(5,000円)、
CVD研究会会員(5,000円)、Cat-CVD研究会会員(5,000円)、
応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会会員(5,000円)、
応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会会員(5,000円)、
非会員(12,000円)、学生(無料)
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申込方法 | Webサイト https://cvd43symposium.peatix.com/よりお申し込み下さい。(peatix.comドメインからのメールを受信可能としてください。)
アクセスできない場合には、(1)氏名、(2)所属、(3)連絡先E-mail、(4)参加資格(所属学会等)、(5)参加形態(対面参加、オンライン参加)、(6)懇親会参加可否(予定可)、を明記のうえ、cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい。 |
申込締切 | 10月28日(火)正午 厳守(締め切り後の申し込みは一切できません。)
対面参加200名、オンライン参加300名の定員に達し次第、申し込み受付を終了いたします。
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問合せ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org |
注意事項 |
- 参加費はクレジットカードにて前払いです。懇親会費は、当日受付にて現金払いです。
- 参加者による録画・録音は一切禁止とします。
- 会議URLならびに講演資料入手方法は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします。
- 諸事情により、内容が変更される場合があります。
- 講演動画の事後配信は致しません。
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プログラム | 発表言語:日本語もしくは英語 |
司会 | 百瀬 健 氏(熊本大学) |
12:50-13:00 |
開会挨拶 |
霜垣 幸浩 氏(東京大学) |
13:00-13:20 |
“Oxide Film ALD Using OH Radicals Generated by Mixing Pure Ozone Gas with Hydrogen-Included Molecular Gas Over 200 °C” |
((株)明電舎) 亀田 直人 氏 |
13:20-13:40 |
“Silicon Nitride ALD Process Using Diiodosilane and Hydrazine for Low Temperature Deposition” |
(大陽日酸(株)) 村田 逸人 氏 |
13:40-14:00 |
“High Temperature Area Selective ALD SiN by in-Situ Selective Surface Fluorination” |
(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)) 劉 昊南 氏 |
14:00-14:20 |
“Effect of Impurities in Trimethylaluminum on Conformality of Al2O3 Thin Film on Patterned Substrate Grown by ALD” |
(東ソー(株)) 岩永 宏平 氏 |
14:20-14:40 |
“Sequential Adsorption of Dimethyl Zinc and Trimethylaluminum and Its Application to Zinc Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition” |
(山形大学) 廣瀬 文彦 氏 |
14:40-15:00 |
“A Novel Liquid Cocktail Precursor for Atomic Layer Deposition of Hafnium-Zirconium-Oxide Films for Ferroelectric Devices” |
(北海道大学) 西田 章浩 氏 |
15:00-15:15 |
休憩 |
司会 | 霜垣 幸浩 氏(東京大学) |
15:15-15:35 |
“Bimetal Thin Film Deposition Using Novel Organometallic Dinuclear RuCo Complex” |
(田中貴金属工業(株)) 鈴木 和治 氏 |
15:35-15:55 |
“Molecular Design of ALD Precursors Through Atomic-Level Simulation and Their Reactivity Analysis” |
(Matlantis(株)) 浅野 裕介 氏 |
15:55-16:15 |
“Comparative Study of Experimental and DFT Calculations of Trimethyl-aluminum Adsorption on SiO2, SiN, and Si for Area-Selective Deposition” |
(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)) 林 元輝 氏 |
16:15-16:35 |
“Insights Into Tuning TiO2 Film Property Distribution in 3D Structures During PEALD Process” |
(ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)) 濱野 誉 氏 |
16:35-16:55 |
“In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching” |
(名古屋大学) 堤 隆嘉 氏 |
16:55-17:15 |
“On an Initial Incubation Process of Thermal ALD Pt on ALD Al2O3 Measured by Temperature Stabilized In-line QCM” |
(東北大学) 熊野 勝文 氏 |
17:15-17:20 |
閉会挨拶 |
百瀬 健 氏(熊本大学) |
17:20-18:00 |
ポスターセッション・展示(オンライン配信なし) |
18:00-19:30 |
懇親会 |
ポスターセッション(決定分,随時更新) |
P1 |
“Prediction of Adsorption/Desorption Equilibrium Constants and Surface Reaction Rate Constants Using Neural Network Potentials for ALD Process Design” |
(東京大学) 佐藤 登 氏 |
P2 |
“Computation of Al2O3 ALD by Trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and Neural Network Potential” |
(東京大学) 鄒 逸宸 氏 |
P3 |
“Adsorption State Study of Trimethylaluminum Using Neural Network Potential Computation and High Accuracy in-situ Quartz Crystal Microbalance” |
(東京大学) 呉 宇軒 氏 |
P4 |
“Evaluation of Initial Nucleation of Co-ALD by CCTBA Using in-Situ Reflectance Monitoring and Atomistic Simulator Based on Neural Network Potential” |
(東京大学) 玉置 直樹 氏 |
P5 |
“Molecular Dynamics Simulations of HF Etching Using Universal Graph Neural Network Potential” |
(Matlantis(株)) 名児耶 彰洋 氏 |
展示(会社名50音順,決定分,随時更新) |
| ALD Japan 株式会社 |
| 気相成長 株式会社 |
| 株式会社 ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ |
| 株式会社 高純度化学研究所 |
| 大陽日酸 株式会社 |
| 株式会社 田中貴金属 |
| ピエゾ パーツ 株式会社 |
| 株式会社 堀場エステック |
| Matlantis 株式会社 |
シンポジウムオーガナイザー |
霜垣 幸浩(東京大学),百瀬 健(熊本大学),筑根 敦弘(東京大学) |