半導体デバイスをはじめとする先端デバイスの産業化には、低コストで高効率の微細加工技術が求められる。ナノインプリント法は、従来のビーム系リソグラフィ技術に代わる半導体加工技術として提案され、実用化が検討されている。一方、従来技術では実現できない多様な材料や形状への応用が可能であり、半導体分野以外への展開も期待されている。ここでは、ダイレクト(熱)ナノインプリント、UVナノインプリント、離型プロセスの基礎について述べるとともに、先端半導体の応用、メタサーフェスなどの光学デバイス、バイオミメティックスなどの表面機能デバイスへの応用例について、ナノインプリントの特徴と関連付けて概説する。さらに、今後の展開と半導体チップレットへの応用を紹介する。

エポキシおよびポリウレタンは、接着剤をはじめとして幅広い応用範囲を誇る高分子材料である。両高分子に共通する点としては、架橋構造を有する場合が多いこと、多種多様な原料が存在すること、重付加反応が生じること、比較的強い分極が存在することなどが挙げられる。また、接着剤の性質を支配する因子として、「接着剤自身の力学物性」と「接着剤と被着体の界面相互作用」が挙げられる。本講演では、これらの因子をさらに支配する分子構造や架橋構造などをはじめとするナノメートルオーダーの因子に基づいて、ミクロ・マクロな物性までを制御する分子設計方法を分かりやすく解説する。

先端の半導体デバイスは構造や材料・プロセスを劇的に変化させながら進展を続けてきたが、ムーアの法則の鈍化と共に、新しい概念の導入により革新的進化を続けている。埋め込み電源配線（Buried Power Rail, BPR）や裏面電源供給ネットワーク（Backside Power Delivery Network, BSPDN）など従来はパッケージが有した機能をウェーハプロセス（配線工程）に組み込み、配線工程とパッケージ技術の境界がなくなりつつある。また、「１チップに複数の機能を持たせる」から「特定の機能を持つチップをパッケージ内に複数組み込んで高機能化する」、いわゆるチップレット化が加速している。本講演では、パッケージ技術の変遷・材料・構造や将来動向を概説する。また、3D/2.5D/2.3D/2.1D/Bridge構造など、各社の高機能実装技術の特徴やチップレット化に伴う必須技術など、広範な最新技術と今後の動向を紹介する。