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CVD反応分科会シンポジウム講演者一覧

化学工学会反応工学部会CVD反応分科会主催 ミニシンポジウム 「薄膜評価・分析の基礎と最先端」

平成23年6月10日(金) 10:30～18:00
「エピタキシャル膜の表面原子構造とin situ観察手法」 物質・材料研究機構　大竹　晃浩　氏
「III-V化合物半導体エピタキシャル成長のin situ観察とデバイス応用」 東京大学　杉山 正和　氏
「走査型プローブ顕微鏡の最前線と解析事例」 エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)　山岡　武博　氏
「非平衡プラズマの発光分光計測の原理と実践～電子温度、ガス温度、ラジカル密度」 東京工業大学　赤塚　洋　氏
「プラズマプロセスモニタリング装置の最前線 ～ プロセス監視と膜厚計測」 浜松ホトニクス(株)　 増岡　英樹　氏，中野　哲寿　氏
「光電子分光による薄膜解析：基礎から応用」 東京大学　尾嶋　正治　氏
「表面分析の最前線及び解析事例」 アルバック・ファイ(株)　星　孝弘　氏
「エピタキシャル膜のX線，電子線による構造解析」 大阪大学　酒井　朗　氏
「X線による薄膜の構造評価と三次元ナノ形状の解析」 (株)リガク　中野 朝雄 氏
「電子顕微鏡による薄膜の構造解析・化学分析」 東京大学　阿部 英司　氏
「電子顕微鏡の最前線と解析事例」 日本電子(株)　 遠藤 徳明　氏

CVD反応分科会主催第15回シンポジウム 「超臨界流体を利用した材料・デバイス合成」

2012年5月25日(金) 13:00～18:20
イントロダクトリートーク「超臨界流体薄膜形成(SCFD)技術の可能性と今後の展開」 東京大学　霜垣幸浩 氏
「超臨界流体中での金属薄膜成長に関する実験的考察」 山梨大学　近藤英一 氏
「超臨界二酸化炭素を用いた電気めっき方法における反応制御と装置開発」 東京工業大学　曽根正人 氏
「量産対応SCFD装置の概念設計とMEMSデバイスへの応用」 東京大学　百瀬健 氏
「SCFD反応装置の数値流体シミュレーション」 みずほ情報総研　岩崎拓也 氏
「超臨界二酸化炭素中での金属酸化物薄膜形成と反応機構解析」 大阪府立大学　齊藤丈靖 氏
「超臨界二酸化炭素に対する金属錯体の溶解度」 東京工業大学　下山裕介 氏
「超臨界二酸化炭素を利用した急速膨張法による機能性材料創製技術 －有機ナノ粒子・有機薄膜創製への応用－」 信州大学　内田博久 氏
「超臨界・亜臨界水を利用した有機分子修飾金属酸化物ナノ結晶の合成」 東北大学　高見誠一 氏
「超臨界流体を用いた電極材料の量産化プロセス －太陽電池・キャパシタ－」 東北大学　笘居高明 氏
「超臨界クラスター流体プラズマと材料合成応用」 東京大学　寺嶋和夫 氏

CVD反応分科会主催第16回シンポジウム 「薄膜成長における核発生機構と課題・話題」

2012年8月8日(水) 13:00～18:20
「核発生の基礎理論とMBE薄膜成長への応用」 東京大学名誉教授　西永頌 氏
「GaN薄膜成長における核発生のその場観察」 三重大学　三宅秀人 氏
「量子ドット形成の核発生その場観察」 阿南高専　塚本史郎 氏
「液滴エピタキシー法におけるガリウム液滴形成とその結晶化過程の制御」 物質・材料研究機構　間野高明 氏
「HSG-Siの合成と薄膜形成における核発生の制御」 キヤノンアネルバ　辰巳徹 氏
「大気雰囲気下でシリコン結晶膜を連続成長させるHeat-Beam装置」 フィルテック　古村雄二 氏
「有機薄膜作製における核発生・制御」 産総研　八瀬清志 氏
「晶析工学的見地からみた有機薄膜創製における核発生と成長現象」－気相成長と超臨界流体を利用した成長を中心に－ 信州大学　内田博久 氏
「ULSI多層配線形成用金属薄膜CVD/SCFDプロセスにおける初期核発生と成長」 東京大学　霜垣幸浩 氏

CVD反応分科会主催第17回シンポジウム 「貴金属薄膜・微粒子の合成プロセス」

2012年11月21日(水) 13:00～17:45
「貴金属市場動向と新規貴金属プリカーサの開発」 田中貴金属　齋藤昌幸 氏
「Cu配線向けCVD Ruライナーの成膜技術」 東京エレクトロン　石坂忠大 氏
「CVD Coプロセスの応用」 アルバック　牛川治憲 氏
「ULSI-Cu配線用Co(W)薄膜形成プロセスの開発とRuとの比較」 大陽日酸　清水秀治 氏
「ホローカソードCVDを用いたオスミウムコーターの開発」 真空デバイス　平野修司 氏
「金ナノ粒子の調製方法と触媒特性」 首都大学東京　春田正毅 氏

CVD反応分科会主催第18回シンポジウム 「各種透明導電膜の特徴と製膜技術」

2013年2月26日(火) 13:00～18:00
「酸化物透明導電膜ITO、AZOについての最新動向」 名古屋大学・(有)アーステック 小島 啓安 氏
「LPCVDによる高移動度フッ素ドープ酸化スズの開発」 旭硝子(株)　一色 眞誠 氏
「Mg水酸化物構造をもつ新規の透明導電材料」 東海大学　本城 貴充 氏
「Agナノワイヤを用いた透明導電膜の開発」 大阪大学 菅沼 克昭 氏
「PEDOT/PSSの高導電化と透明導電膜への応用」 山梨大学　奥崎 秀典 氏
「２層カーボンナノチューブ透明導電フィルム」 東レ(株)　佐藤 謙一 氏

CVD反応分科会主催第19回シンポジウム 「薄膜成長における構造形成と機能制御」

2013年5月29日(水) 13:00～18:00
基調講演「エピタキシャル成長における構造・機能制御」 西永 頌 氏(東京大学名誉教授)
「グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開」 吾郷 浩樹　氏(九州大先導物質化学研究所)
「メゾプラズマCVDによるナノクラスター支援高速エピタキシャル成長」 神原 淳 氏(東京大学)
「AD(エアロゾルデポジッション)法による常温衝撃固化現象と実用化への取り組み」 明渡 純 氏(産業技術総合研究所)
「ダイヤモンド薄膜形成技術(仮題)」 井上　英男 氏(コーンズテクノロジー)
「パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発」 百瀬　賢治 氏(昭和電工)

CVD反応分科会主催第20回シンポジウム 「データベースの構築と活用」

2013年9月10日(火) 13:20～18:10
基調講演「原子・分子データベースのプラズマシミュレーションにおける活用」 真壁 利明 氏(慶應義塾大学)
「プロセスプラズマの反応モデル構築」 康 松潤 氏(東京エレクトロン)
「meVからkeVの衝突エネルギー領域における電子・原子・分子衝突素過程の実験的研究」 田沼 肇 氏(首都大学東京)
「核融合研における原子分子数値データベース活動と、世界における原子分子数値データベースの最近の動向」 村上 泉 氏(核融合科学研究所)
「超臨界二酸化炭素中における金属錯体の拡散係数の測定と相関」 船造 俊孝 氏(中央大学)
「超臨界CO2中での金属錯体の溶解および熱分解の測定」 依田 智 氏(産業技術総合研究所)
「気相系における平衡・輸送物性の推算」 下山 裕介 氏(東京工業大学)

CVD反応分科会主催第21回シンポジウム 「ALDプロセスの基礎と応用」

2013年11月19日(火) 13:00～17:50
「ALDプロセスの理想と現実―ULSI多層配線用金属膜合成を例に」 霜垣 幸浩 氏(東京大学)
「固体表面への分子吸着・反応過程に関する第一原理シミュレーション」 森川 良忠　氏(大阪大学)
「ALDプロセス用材料開発」 ガティノ 諭子 氏(エア・リキード・ラボラトリーズ)
「ALD法によるHigher-k絶縁膜の低温作製とCMOSへの展開」 生田目 俊秀 氏(NIMS)
「ALDによるZnO/Al2O3の合成とTFT応用」 石河 泰明 氏(奈良先端科技大)
「Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション」 渡邉　孝信 氏(早稲田大学)
「成膜装置でのALD Process Tuning手法に関して」 早瀬　文朗 氏(東京エレクトロン)
「Plasma-enhanced ALDによる低温SiO2膜の成長メカニズム」 小林　明子 氏(日本ＡＳＭ)

CVD反応分科会主催第22回シンポジウム 「高機能保護膜の基礎と展開」

2014年1月29日(水) 13:10～17:50
「ハイバリア性評価方法と国際標準化」 永井 一清　氏(明治大学)
「パッケージ用透明蒸着フィルムについて」 松井 茂樹　氏(大日本印刷)
「ナノシート積層によるガスバリア膜の開発」 蛯名 武雄 氏(産業技術総合研究所)
「Cu配線用バリア絶縁膜と製膜原料の設計」 清水 秀治 氏(大陽日酸(株))
「強誘電体メモリ(FRAM)における保護膜の開発」 恵下 隆 氏(富士通セミコンダクター)
「フレキシブルデバイスのバリア膜性能および評価技術」 高橋 善和 氏((株)ＴＩ)

CVD反応分科会主催第23回シンポジウム 「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解(ノーベル賞受賞記念)」

2015年5月22日(金) 13:00～17:50
基調講演「窒化物半導体MOVPEのメカニズム：リアクタスケールから基板表面までのマルチスケールな輸送・反応」 杉山 正和　氏(東京大学)
「InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構」 本田 善央　氏(名古屋大学)
「窒化物半導体の窒素極性面成長におけるin situ表面反射率測定」 谷川 智之 氏(東北大学)
「パルス励起堆積法による窒化物薄膜成長の特徴」 藤岡 洋 氏(東京大学)
「メッシュ状加熱金属触媒体を用いたCat-CVD法によるSi基板上へのGaN薄膜成長」 安井 寛治 氏(長岡技術科学大学)
「アンモニアの加熱金属触媒による分解過程と後続気相反応過程」 梅本 宏信 氏(静岡大学)

CVD反応分科会主催第24回シンポジウム 「パワーデバイス」

2015年12月1日(火) 13:00～17:50
基調講演「パワーデバイスの構造と材料・製膜技術の展開」 岩室 憲幸　氏(筑波大学)
「高電圧SiC素子に向けた大口径，高品質4H-SiCエピタキシャル成長技術の開発」 土田 秀一　氏(電力中央研究所)
「SiCエピタキシャル成長における低欠陥密度化・高速化技術の開発」 田中 貴規 氏(三菱電機(株))
「酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長」 秩父 重英 氏(東北大学)
「MOCVDにおけるパワーデバイス用GaN-on-Si成長技術」 渡邉 則之 氏(日本電信電話(株))
「パワーデバイスにおけるシリコン結晶・薄膜の進展と展望」 山本 秀和 氏(千葉工業大学)

CVD反応分科会主催第25回シンポジウム 「原子層堆積／原子層エッチングの基礎と応用」

2017年2月1日(水) 13:00～17:45
「ALD/ALEtの基本原理と課題・展望」 霜垣 幸浩　氏(東京大学)
「ALD反応炉内での原子制御型ドット堆積を目指したスプレー法の開発」 佐藤 宗英　氏(物質・材料研究機構)
「SiO2微細加工に対するQuasi-ALEアプローチの有用性」 田端 雅弘 氏(東京エレクトロン宮城)
「プラズマと赤外光照射を用いた窒化膜の原子層レベルエッチング」 篠田 和典 氏(日立製作所)
「既存ALD材料の組合せによる高性能ガスバリア膜」 座間 秀昭 氏(アルバック)
「室温原子層堆積法の開発とその応用」 廣瀬 文彦 氏(山形大学)

CVD反応分科会主催第26回シンポジウム 「製膜プロセスシミュレーションの最前線：マルチフィジクスと非定常計算の活用」

2017年11月27日(月) 13:00～18:00
「(基調講演)輸送・反応系を含むマルチフィジックス・シミュレーションの応用と展望」 高山 務 氏(みずほ情報総研(株))
「MOCVD法によるIII族窒化物ヘテロ構造成長中の応力、反り、貫通転位ダイナミクスの数値解析」 向山 裕次 氏(STR Japan(株))
「反応工学と第一原理計算を用いたW-ASFD(Advanced Sequential Flow Deposition)の反応解析」 川上 雅人 氏(東京エレクトロン　テクノロジーソリューションズ(株))
「繊維プリフォーム高密度化過程の非定常性を考慮した複合材料CVIシミュレーション」 則永 行庸 氏(名古屋大学)
「ドライプロセスからウェットプロセスまでの薄膜作製と高度解析」 トン リチュ 氏(計測エンジニアリングシステム(株))
「有限要素計算による微細構造製膜のマルチスケール解析」 舩門 佑一 氏(東京大学)

CVD反応分科会主催第27回シンポジウム 「クリーンなCVD/ALDを実現する技術の考え方と最新動向」

2018年2月15日(木) 13:00～18:10
(基調講演)「清浄化を軸にして眺める製造装置の現状と展望」 立花 光博 氏(東京エレクトロン　テクノロジーソリューションズ(株))
(基調講演)「半導体製造装置用クリーニングガスの現状と展望」 八尾 章史 氏(セントラル硝子(株))
(基調講演)「ULSI製造における製膜に及ぼす基板表面の影響」 佐藤 伸良 氏(東芝メモリ(株))
「GaN-MOCVD装置のクリーニング技術」 山口 晃 氏(大陽日酸(株))
「炭化珪素CVD装置クリーニング法―実現の課題と展望」 羽深 等 氏(横浜国立大学)
「微細化に伴う半導体ウェット洗浄の課題と展望」 佐藤 雅伸 氏((株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

CVD反応分科会主催第28回シンポジウム 「アトミックレイヤープロセッシングの基礎と最新技術動向」

2018年6月4日(月) 10:00～17:50
(基調講演)「アトミックレイヤーエッチングの基礎」 堀 勝 氏，石川 健治 氏(名古屋大学)
「アトミックレイヤーエッチングにおける表面反応解析」 唐橋 一浩 氏(大阪大学)
「プラズマを用いた原子層エッチング技術」 栗原 優 氏((株)日立製作所)
(基調講演)「ALD・CVDプロセスの反応工学」 霜垣 幸浩(東京大学)
「ALD-Al2O3成長におけるAl2O3/基板界面の解析」 生田目 俊秀 氏(物質・材料研究機構)
「3D Flash MemoryにおけるALD技術の応用」 相宗 史記 氏(東芝メモリ(株))
「表面反応の原子・分子レベルモデリングの現状」 谷村 直樹 氏(みずほ情報総研(株))
「Maximizing ALD SiO/SiN throughput using a chemistry approach」 クリスチャン デュサラ 氏((株)エア・リキード・ラボラトリーズ)
「ミニマルファブとアトミックレイヤープロセス」 クンプアン ソマワン 氏(産業技術総合研究所)

CVD反応分科会主催第29回シンポジウム 「流動層の基礎とCVD/ALDによる粉体材料の機能化」

2018年11月9日(金) 13:00～17:45
(基調講演)「流動触媒層の特徴と工業プロセスへの応用」 甲斐 敬美 氏(鹿児島大学)
「プラズマCVD法によるDLCコーティング技術」 本多 祐二 氏(アドバンストマテリアルテクノロジー)
「CVDの二次元場から三次元場への展開 - 流動層法による高純度・長尺カーボンナノチューブの高収率合成」 野田 優(早稲田大学)
「粉体へのALDコーティング概説　- 成膜方式と課題、アプリケーション、世界の動向」 百瀬　渉(ALDジャパン)
「Particle ALD developments and opportunities」 Paul Lichty 氏(Forge Nano社)
「室温原子層堆積法による微粒子上金属酸化物コーティング」 廣瀬 文彦 氏(山形大学)

CVD反応分科会主催第30回シンポジウム 「熱電・圧電関係エネルギーハーベスティング技術の最新動向」

2019年3月5日(火) 13:00～18:00
(基調講演)「プロセスで活きる熱電、プロセスで使う熱電発電」 舟橋 良次 氏(産業技術総合研究所)
「CMOSプレーナプロセスで製造可能な微小熱電発電デバイス」 渡邉 孝信 氏(早稲田大学)
「カーボンナノチューブ薄膜を用いた柔軟なエネルギーハーベスティングデバイス」 大野 雄高 氏(名古屋大学)
「太陽誘電の各種ピエゾアプリケーションの紹介とその開発例」 後藤 隆幸 氏(太陽誘電(株))
「スパッタリング法による圧電材料薄膜の製造技術」 小林 宏樹 氏((株)アルバック)
「非鉛圧電体薄膜を用いた高効率MEMS振動発電素子」 吉村 武 氏(大阪府立大学)

CVD反応分科会主催第31回シンポジウム「二次元材料の最新動向」

2020年2月5日(水) 13:00～18:00
(基調講演)「１次元・２次元材料のCVD合成と応用」 丸山 茂夫 氏(東京大学)
「カルコゲナイド系層状物質材料の基礎と薄膜形成法」 上野 啓司 氏(埼玉大学)
「革新的デバイス応用に向けたグラフェンナノリボンのボトムアップ合成」 大伴 真名歩 氏((株)富士通研究所)
「フラックス法による窒化ホウ素単結晶合成と不純物制御による機能発現」 谷口 尚 氏(物質・材料研究機構)
「二次元結晶ファンデルワールス接合の作製技術構築と量子輸送現象」 町田 友樹 氏(東京大学)
「2次元材料成膜とスパッタMoS2チャネルnMOSFET」 若林 整 氏(東京工業大学)

化学工学会CVD反応分科会 第32回シンポジウム「選択製膜の基礎と応用」

令和2年11月20日(金) 13:00～18:00
1．(基調講演) 「CVD/ALD選択成長プロセス開発のカギを握る製膜初期過程の理解と制御」 (東京大学)霜垣 幸浩 氏
2．「いまさら聞けない選択タングステン」 (東京工業大学) 大場 隆之 氏
3．「化合物半導体のMOVPEプロセスと選択成長」 (東京大学) 杉山 正和 氏
4．「選択製膜への挑戦と課題」 (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)) 東雲 秀司 氏
5．「ナノカーボンのCVD選択成長とデバイス応用」 (東京農工大学) 前橋 兼三 氏
6．「表面素反応からみた薄膜成長プロセス」 (東京大学)吉信 淳 氏

化学工学会CVD反応分科会 第33回シンポジウム「粉体ALDと電池材料」

令和3年6月8日(火) 9:30～15:00
1．「ALDx and PALD –Equipment and Process for Atomic Layer Deposition on Powders, Wafers, and Objects」(英語) (Forge Nano) Staci Moulton 氏
2．「Better Batteries: PALD on Anode and Cathode Powders at 6,000 mT/yr and < $0.30/kg」(英語) (Forge Nano) Daniel Higgs 氏
3．「固体電池における粉体表面層の重要性」 (物質・材料研究機構 エネルギー・環境材料研究拠点) 高田 和典 氏
4．「Thermal-ALDを用いた窒化リン酸リチウム・固体電解質膜の均一形成」 (パナソニック(株)) 柴田 聡 氏
5．基調講演「室温原子層堆積法の開発と微粒子コーティングへの応用」 (山形大学 大学院理工学研究科) 廣瀬 文彦 氏
6．「Powder Atomic Layer Deposition: A Materials Supplier Perspective」(英語) (Air Liquide)Christian Dussarrat 氏

化学工学会CVD反応分科会 第34回シンポジウム「選択成長にむけたALD/ALE技術」

令和3年8月4日(水) 13:00～18:00
1．基調講演「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」　 (東京大学) 霜垣 幸浩 氏
2．「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」 (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)) 伝宝 一樹 氏
3．「ALD-SiO2成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」 (物質・材料研究機構(NIMS)) 生田目 俊秀 氏
4．「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」 (東北大学) 諏訪 智之 氏
5．基調講演「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」 (ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)) 深沢 正永 氏
6．「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」 (東北大学)寒川 誠二 氏

化学工学会CVD反応分科会 第35回シンポジウム「ドライプロセスに対するプロセスインフォマティクス」

令和4年1月25日(火)　13:00～18:05
1．(基調講演)「プロセス産業におけるAI活用とDX」 (東京農工大学) 山下 善之 氏
2．「材料創製技術を革新するプロセスインフォマティクス」 (科学技術振興機構研究開発戦略センター) 福井 弘行 氏
3．「機械学習を用いた薄膜作製プロセスの closed-loop optimization」 (物質・材料研究機構) 大久保 勇男 氏
4．「TEL開発AIツールによるプロセス最適化事例の紹介」 (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)) 伊藤 聡 氏
5．「デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術(SiC溶液成長を中心に)」 (名古屋大学) 宇治原 徹 氏
6．(展望講演)「プロセスインフォマティクスの進展」 (明治大学)金子 弘昌 氏

化学工学会CVD反応分科会 第36回シンポジウム「ワイドバンドギャップ新材料の開拓」

2022年7月1日(金)　13:00～18:00
1．(基調講演)「ワイドバンドギャップ半導体の現状と新材料への期待」 (パワーデバイスイネーブリング協会) 山本 秀和 氏
2．「β-Ga2O3結晶の気相エピタキシャル成長の現状と展望」
(東京農工大学)熊谷 義直 氏，(東京農工大学/大陽日酸(株))池永 和正 氏，(気相成長(株))石川 真人 氏，(東京農工大学)後藤 健 氏，村上 尚 氏，(気相成長(株))町田 英明 氏，((株)ノベルクリスタルテクノロジー)倉又 朗人 氏，山腰 茂伸 氏，(情報通信研究機構，大阪公立大学)東脇 正高 氏
3．「2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題」 (1佐賀大学, 2アダマンド並木精密宝石(株)) 嘉数 誠 氏1, 金 聖祐 氏2
4．「窒化アルミニウムの結晶成長とデバイス応用」 (山口大学) 岡田 成仁 氏
5．「六方晶窒化ホウ素のCVD成長から2.5次元物質科学へ」 (九州大学) 吾郷 浩樹 氏
6．「CVD・ALD用ガリウムプリカーサー」 ((株)高純度化学研究所)水谷 文一 氏

化学工学会CVD反応分科会 第37回シンポジウム「CVDと薄膜の計算科学」

2023年3月13日(月) 11:00～17:10
1．[オンライン]「GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展」 (九州大学) 寒川 義裕 氏
2．[対面]「CVDプロセスと摩耗プロセスの全原子分子動力学シミュレーション」 (東北大学) 久保 百司 氏
3．[対面]「プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化とモデルの進展」 (核融合科学研究所) 伊藤 篤史 氏
4．[対面]「アクティブラーニングによる機械学習力場自動生成と第一原理物性予測」 (豊田中央研究所) 陣内 亮典 氏
5．[対面]「反応モデルと機械学習によるバッチ炉CVD製膜の条件最適化」 (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ) 伏見 直茂 氏

化学工学会CVD反応分科会 第38回シンポジウム「半導体産業におけるプロセス開発の最新動向」

2023年6月19日(月) 13:00～17:50
[対面] パルス変調プラズマエッチングにおけるグローバルモデルによる入射イオンエネルギー分布の予測 (日本サムスン(株)) 櫻井 清吾 氏
[対面] 電子線リソグラフィの現状と今後の展開 (日本電子(株)) 桑野 靖久 氏
[対面] 最先端半導体デバイス国内量産復活への指針と展望 (Rapidus(株)) 小池 淳義 氏
[対面] 半導体製造CMP工程とCMP洗浄技術 ((株)荏原製作所) 今井 正芳 氏
[対面] 先端半導体におけるウェット洗浄の課題と評価技術 ((株)SCREEN) 上田 大 氏
[対面] ３次元LSIに向けたTSV形成プロセス技術 (サムコ(株)) 八木 公輔 氏

化学工学会CVD反応分科会 第39回シンポジウム「二次元材料の合成と応用の最新動向と展望」

2023年11月14日(火) 13:00～16:50
「遷移金属ダイカルコゲナイドの合成と機能」 (東京都立大学) 宮田 耕充 氏
「Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D TMDs on C-plane Sapphire」 (東京大学) Vincent Tung 氏
「グラフェンの CVD 成長におけるリアルタイム観察技術とその活用」 (NTT物性科学基礎研究所) 小川 友以 氏
「二次元材料/相転移材料ファンデルワールスヘテロ構造のデバイス応用」 (関西大学) 山本 真人 氏
(基調講演)「１次元２次元半導体物質の戦略とCVD」 (東北大学) 齋藤 理一郎 氏

化学工学会CVD反応分科会 第40回シンポジウム「ドライプロセスによる微粒子の高機能化」

2024年3月26日(火) 13:00～17:30
「非凝集単分散金属ナノ粒子，金属酸化物ナノ粒子の気相合成に関して」 (関西大 環境都市工学部 エネルギー環境・化学工学科) 岡田 芳樹 氏
「酸素燃焼を用いた銅ナノ粒子の合成とパワー半導体接合材への適用検討」 (大陽日酸株式会社) 三好 健太朗 氏
「ネットワーク構造を有する金属酸化物ナノ粒子の合成と応用」 (山梨大 水素・燃料電池ナノ材料研究センター) 柿沼 克良 氏
「火炎噴霧熱分解により得られる粒子の特性と固体触媒への応用」 (金沢大 新学術創成研究機構) 藤原 翔 氏
「CVDによる粉体へのセラミックスコーティングと中空粒子の作製」 (産業技術総合研究所 中部センター) 且井 宏和 氏
「プラズマCVD法によるDLCコーティング技術」 (ユーパテンター) 本多 祐二 氏

化学工学会CVD反応分科会 第41回シンポジウム
「AIによる最適プロセス設計」

2024年5月30日(木) 13:00～17:10
開催趣旨説明「機械学習を用いたプロセス最適化における反応モデルの必要性」 (東京大学) 霜垣 幸浩
「機械学習を用いた製膜プロセス最適化事例の紹介」 (東京エレクトロン株式会社) 守屋 剛 氏
基調講演「機械学習モデルの逆解析および解釈」 (明治大学) 金子 弘昌 氏
「エッチングプロセスの機械学習を用いた最適化」 (株式会社日立製作所) 大森 健史 氏
「機械学習と不確かさの定量化ツールSmartUQの紹介」 (計測エンジニアリング株式会社) 中野 智宏 氏

化学工学会CVD反応分科会 第42回シンポジウム
「半導体産業における洗浄・乾燥技術の最新動向」

2025年8月29日(金) 13:00～16:40
「半導体製造プロセスにおけるクリーン化技術」 (オフィスシラミズ) 白水 好美 氏
「半導体ウェット洗浄におけるシミュレーション事例」 (SCREENセミコンダクターソリューションズ) 佐藤 雅伸 氏
「半導体ウエハーの洗浄および乾燥工程に関する熱流体工学解析」 (群馬大学) 天谷 賢児 氏
「半導体の二流体スプレー洗浄時における静電気障害」 (愛知工業大学) 清家 善之 氏
「超臨界乾燥技術」 (レクザム) 山内 守 氏

化学工学会CVD反応分科会 第43回シンポジウム
「ALD/ALE 2025特集」

2025年10月31日(金) 12:50～18:00
“Oxide Film ALD Using OH Radicals Generated by Mixing Pure Ozone Gas with Hydrogen-Included Molecular Gas Over 200 °C” ((株)明電舎) 亀田 直人 氏
“Silicon Nitride ALD Process Using Diiodosilane and Hydrazine for Low Temperature Deposition” (大陽日酸(株)) 村田 逸人 氏
“High Temperature Area Selective ALD SiN by in-Situ Selective Surface Fluorination” (東京エレクトロン　テクノロジーソリューションズ(株)) 劉 昊南 氏
“Effect of Impurities in Trimethylaluminum on Conformality of Al2O3 Thin Film on Patterned Substrate Grown by ALD” (東ソー(株)) 岩永 宏平 氏
“Sequential Adsorption of Dimethyl Zinc and Trimethylaluminum and Its Application to Zinc Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition” (山形大学) 廣瀬 文彦 氏
“A Novel Liquid Cocktail Precursor for Atomic Layer Deposition of Hafnium-Zirconium-Oxide Films for Ferroelectric Devices” (北海道大学) 西田 章浩 氏
“Bimetal Thin Film Deposition Using Novel Organometallic Dinuclear RuCo Complex” (田中貴金属工業(株)) 鈴木 和治 氏
“Molecular Design of ALD Precursors Through Atomic-Level Simulation and Their Reactivity Analysis” (Matlantis(株)) 浅野 裕介 氏
“Comparative Study of Experimental and DFT Calculations of Trimethyl-aluminum Adsorption on SiO2, SiN, and Si for Area-Selective Deposition” (東京エレクトロン　テクノロジーソリューションズ(株)) 林 元輝 氏
“Insights Into Tuning TiO2 Film Property Distribution in 3D Structures During PEALD Process” (ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)) 濱野 誉 氏
“In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching” (名古屋大学) 堤 隆嘉 氏
“On an Initial Incubation Process of Thermal ALD Pt on ALD Al2O3 Measured by Temperature Stabilized In-line QCM” (東北大学) 熊野 勝文 氏
“Prediction of Adsorption/Desorption Equilibrium Constants and Surface Reaction Rate Constants Using Neural Network Potentials for ALD Process Design” (東京大学) 佐藤 登 氏
“Computation of Al2O3 ALD by Trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and Neural Network Potential” (東京大学) 鄒 逸宸 氏
“Adsorption State Study of Trimethylaluminum Using Neural Network Potential Computation and High Accuracy in-situ Quartz Crystal Microbalance” (東京大学) 呉 宇軒 氏
“Evaluation of Initial Nucleation of Co-ALD by CCTBA Using in-Situ Reflectance Monitoring and Atomistic Simulator Based on Neural Network Potential” (東京大学) 玉置 直樹 氏
“Molecular Dynamics Simulations of HF Etching Using Universal Graph Neural Network Potential” (Matlantis(株)) 名児耶 彰洋 氏


　
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