主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
共催 | CVD 研究会,Cat-CVD研究会 |
日程 | 2023年11月14日(火) 13:00〜16:50 |
会場 | 早稲田大学 西早稲田キャンパス 62号館W棟1階大会議室A,B(+Zoomによるオンライン) |
参加費(税込) |
化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料),
化学工学会 CVD反応分科会個人会員(3,000円),
化学工学会 反応工学部会会員(4,000円),化学工学会会員(5,000円),
CVD研究会会員(5,000円),Cat-CVD研究会会員(5,000円),
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会会員(特別価格5,000円,特別価格設定を選択してください),
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会(5,000円,特別価格設定を選択してください),
非会員(12,000円),学生(対面2,000円、オンライン無料) |
申込方法 | https://cvd-hannoubunkakai.doorkeeper.jp/events/161056よりお申し込み下さい.また,doorkeeper.jp ドメインからのメールを受信可能としておいてください. アクセスできない場合には,(1)氏名,(2)所属,(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等)を明記のうえ,cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい. |
申込締切 | 11月10日(金)正午 厳守(締め切り後の申し込みは一切できません.対面参加70名,オンライン参加300名の定員に達し次第,申し込み受付を終了いたします.) |
問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org |
注意 |
- 参加費はクレジットカードにてお支払いください.
- 参加者による録画・録音は参加形態によらず一切禁止とします.
- 講演内容のオンデマンド配信は行いません.
- 会議URLならびに講演資料は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします.
- 懇親会は行いません.
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開催趣旨 |
グラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドに代表される二次元物質・材料は,その新奇な物性により新たな半導体デバイスを実現し得ると期待されています.2004 年のグラフェンの報告より,物質群,合成・加工・実装技術,応用などが大きく進展しました.今回のシンポジウムでは,これまでの領域発展のレビューから最新の成果のご紹介までを頂き,二次元材料の実用化に向けた展望を議論します. |
プログラム |
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12:30 |
開場、受付 |
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13:00〜13:05 |
開会挨拶 |
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13:05〜13:45 |
「遷移金属ダイカルコゲナイドの合成と機能」 |
(東京都立大学) 宮田 耕充 氏 |
13:45〜14:25 |
「Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D TMDs on C-plane Sapphire」 |
(東京大学) Vincent Tung 氏 |
14:25〜14:45 |
休憩 |
14:45〜15:25 |
「グラフェンの CVD 成長におけるリアルタイム観察技術とその活用」 |
(NTT物性科学基礎研究所) 小川 友以 氏 |
15:25〜16:05 |
「二次元材料/相転移材料ファンデルワールスヘテロ構造のデバイス応用」 |
(関西大学) 山本 真人 氏 |
16:05〜16:45 |
(基調講演)「1次元2次元半導体物質の戦略とCVD」 |
(東北大学) 齋藤 理一郎 氏 |
16:45〜16:50 |
閉会挨拶 |
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参加者 |
71名 (内 対面31名、オンライン40名) |
シンポジウムオーガナイザー |
杉目 恒志(近畿大学),玉置 直樹(キオクシア株式会社),野田 優(早稲田大学) |