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CVD反応分科会シンポジウム開催記録

化学工学会CVD反応分科会 第43回シンポジウム
「ALD/ALE 2025特集」

主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共催 CVD研究会, Cat-CVD研究会
協賛 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会,プラズマエレクトロニクス分科会
日程 2025年10月31日(金) 12:50〜18:00
会場 東京大学本郷キャンパス・武田ホール(武田先端知ビル 5階)+Zoomによるオンラインリアルタイム配信
開催趣旨

6月下旬に韓国・済州で開催されたALD/ALE 2025には日本からも多くの参加者と発表がありました。これらの発表は国内では発表されていないものもありましたので、改めて日本語で発表いただく特集シンポジウムを企画しました。これからALDを始める方も、さらなる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。

参加費(税込) 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料)、 化学工学会 CVD反応分科会個人会員(3,000円)、 化学工学会 反応工学部会会員(4,000円)、化学工学会会員(5,000円)、 CVD研究会会員(5,000円)、Cat-CVD研究会会員(5,000円)、 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会会員(5,000円)、 応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会会員(5,000円)、 非会員(12,000円)、学生(無料)
申込方法 Webサイト https://cvd43symposium.peatix.com/よりお申し込み下さい。(peatix.comドメインからのメールを受信可能としてください。) アクセスできない場合には、(1)氏名、(2)所属、(3)連絡先E-mail、(4)参加資格(所属学会等)、(5)参加形態(対面参加、オンライン参加)、(6)懇親会参加可否(予定可)、を明記のうえ、cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい。
申込締切 10月28日(火)正午 厳守(締め切り後の申し込みは一切できません。)
対面参加200名、オンライン参加300名の定員に達し次第、申し込み受付を終了いたします。
問合せ先 CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org
注意事項
  • 参加費はクレジットカードにて前払いです。懇親会費は、当日受付にて現金払いです。
  • 参加者による録画・録音は一切禁止とします。
  • 会議URLならびに講演資料入手方法は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします。
  • 諸事情により、内容が変更される場合があります。
  • 講演動画の事後配信は致しません。
プログラム 発表言語:日本語もしくは英語
司会 百瀬 健 氏(熊本大学)
12:50-13:00 開会挨拶 霜垣 幸浩 氏(東京大学)
13:00-13:20 “Oxide Film ALD Using OH Radicals Generated by Mixing Pure Ozone Gas with Hydrogen-Included Molecular Gas Over 200 °C” ((株)明電舎)
亀田 直人 氏
13:20-13:40 “Silicon Nitride ALD Process Using Diiodosilane and Hydrazine for Low Temperature Deposition” (大陽日酸(株))
村田 逸人 氏
13:40-14:00 “High Temperature Area Selective ALD SiN by in-Situ Selective Surface Fluorination” (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
劉 昊南 氏
14:00-14:20 “Effect of Impurities in Trimethylaluminum on Conformality of Al2O3 Thin Film on Patterned Substrate Grown by ALD” (東ソー(株))
岩永 宏平 氏
14:20-14:40 “Sequential Adsorption of Dimethyl Zinc and Trimethylaluminum and Its Application to Zinc Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition” (山形大学)
廣瀬 文彦 氏
14:40-15:00 “A Novel Liquid Cocktail Precursor for Atomic Layer Deposition of Hafnium-Zirconium-Oxide Films for Ferroelectric Devices” (北海道大学)
西田 章浩 氏
15:00-15:15 休憩
司会 霜垣 幸浩 氏(東京大学)
15:15-15:35 “Bimetal Thin Film Deposition Using Novel Organometallic Dinuclear RuCo Complex” (田中貴金属工業(株))
鈴木 和治 氏
15:35-15:55 “Molecular Design of ALD Precursors Through Atomic-Level Simulation and Their Reactivity Analysis” (Matlantis(株))
浅野 裕介 氏
15:55-16:15 “Comparative Study of Experimental and DFT Calculations of Trimethyl-aluminum Adsorption on SiO2, SiN, and Si for Area-Selective Deposition” (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
林 元輝 氏
16:15-16:35 “Insights Into Tuning TiO2 Film Property Distribution in 3D Structures During PEALD Process” (ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
濱野 誉 氏
16:35-16:55 “In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching” (名古屋大学)
堤 隆嘉 氏
16:55-17:15 “On an Initial Incubation Process of Thermal ALD Pt on ALD Al2O3 Measured by Temperature Stabilized In-line QCM” (東北大学)
熊野 勝文 氏
17:15-17:20 閉会挨拶 百瀬 健 氏(熊本大学)
17:20-18:00 ポスターセッション・展示(オンライン配信なし)
18:00-19:30 懇親会
ポスターセッション(決定分,随時更新)
P1 “Prediction of Adsorption/Desorption Equilibrium Constants and Surface Reaction Rate Constants Using Neural Network Potentials for ALD Process Design” (東京大学)
佐藤 登 氏
P2 “Computation of Al2O3 ALD by Trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and Neural Network Potential” (東京大学)
鄒 逸宸 氏
P3 “Adsorption State Study of Trimethylaluminum Using Neural Network Potential Computation and High Accuracy in-situ Quartz Crystal Microbalance” (東京大学)
呉 宇軒 氏
P4 “Evaluation of Initial Nucleation of Co-ALD by CCTBA Using in-Situ Reflectance Monitoring and Atomistic Simulator Based on Neural Network Potential” (東京大学)
玉置 直樹 氏
P5 “Molecular Dynamics Simulations of HF Etching Using Universal Graph Neural Network Potential” (Matlantis(株))
名児耶 彰洋 氏
展示(会社名50音順,決定分,随時更新)

ALD Japan 株式会社

気相成長 株式会社

株式会社 ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

株式会社 高純度化学研究所

大陽日酸 株式会社

株式会社 田中貴金属

ピエゾ パーツ 株式会社

株式会社 堀場エステック

Matlantis 株式会社
シンポジウムオーガナイザー 霜垣 幸浩(東京大学),百瀬 健(熊本大学),筑根 敦弘(東京大学)



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